窒化金属半導体の英語

金属窒化層からなる下地層の上に低温成長バッファ層を介在させることなくIII族窒化物系化合物半導体層が形成されている半導体素子であって、前記金属窒化物層が赤茶色の窒化チタンからなる。例文帳に追加

Disclosed is the semiconductor element which has a group III nitride-based compound semiconductor layer formed on a substrate layer made of a metal nitride layer without interposing a low-temperature grown buffer layer, and the metal nitride layer is made of rufous titanium nitride. - 特許庁

シリコンとの結晶性アルカリ土類金属窒化／酸化シリコン・インタフェースを有する半導体構造例文帳に追加

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING CRYSTALLINE ALKALINE EARTH METAL SILICON NITRIDE/OXIDE INTERFACE ON SILICON SUBSTRATE - 特許庁

ＩＩＩ族金属窒化物結晶を用いた半導体発光素子およびこのＩＩＩ族金属窒化物結晶の製法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT EMPLOYING GROUP III METAL NITRIDE CRYSTAL AND PROCESS FOR PRODUCING GROUP III METAL NITRIDE CRYSTAL - 特許庁

電流狭窄層（窒化物半導体層３）と接しており、かつ電流狭窄層（窒化物半導体層３）よりも基板１側に位置する窒化物半導体層２に遷移金属を導入する。例文帳に追加

Transition metal is introduced in a nitride semiconductor layer 2 which is in contact with a current constriction layer (nitride semiconductor layer 3) and positioned on a side of a substrate 1 as compared with the current constriction layer (nitride semiconductor layer 3). - 特許庁

この窒化ガリウム系半導体層の半極性面に電極が接合を成すので、金属／半導体接合は良好なオーミック特性を示す。例文帳に追加

Since the electrode forms the junction on the semipolar plane of the gallium nitride-based semiconductor layer, a metal/semiconductor junction exhibits good ohmic characteristics. - 特許庁

半導体(コレクタ層１３)/金属(ベース層１４)/半導体(エミッタ層１５)から成る３層構造の各層は、窒化物で構成されている。例文帳に追加

Each layer of three-layer structure comprises a semiconductor (a collector layer 13)/a metal (a base layer 14)/the semiconductor (an emitter layer 15) is composed of a nitride. - 特許庁

本発明の半導体装置では、金属細線１１の一部が、半導体チップ１表面のシリコン窒化膜３と当接している。例文帳に追加

In this semiconductor device, the thin metallic wires 11 are partially brought into contact with a silicon nitride film 3 formed on the surface of a semiconductor chip 1. - 特許庁

ｐＦＥＴ材料としての金属酸窒化物を用いた半導体構造およびその製造方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR STRUCTURE USING METAL OXYNITRIDE ACTING AS pFET MATERIAL AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁