禁制帯幅の英語

本発明の半導体レーザは、半導体層の組成より、活性層１０６よりバッファ層１０５、１０７の禁制帯幅が大きく、またクラッド層１０４、１０８の禁制帯幅は、それぞれに接するバッファ層１０５、１０７の禁制帯幅より大きくなるように構成する。例文帳に追加

The semiconductor laser is constituted, in such a way that due to the composition of a semiconductor layer, forbidden band gap widths of buffer layers 105 and 107 are larger than those of an active layer 106, and the forbidden gap widths of clad layers 104 and 108 are larger than those of buffer layers 105 and 107 that contact each of them. - 特許庁

広禁制帯幅半導体基板１からなる電子放出層を備える第１放電電極である。例文帳に追加

The first discharge electrode is equipped with an electron emission layer made of a wide forbidden band-width semiconductor substrate 1. - 特許庁

広禁制帯幅半導体層１ａの表面には、コンタクト膜２３ａ，２４ａが形成されている。例文帳に追加

Contact films 23a, 24a are formed on the surface of the wide forbidden band semiconductor layers 1a. - 特許庁

本発明の光触媒は、二酸化チタンと、該二酸化チタンの禁制帯幅よりも狭い禁制帯幅を有する第２の半導体材料とを含有し、該二酸化チタンと該第２の半導体材料とが接触していることを特徴とする。例文帳に追加

The photocatalyst contains titanium dioxide and a second semiconductor material having a forbidden band width narrower than that of the titanium dioxide, and in the photocatalyst, the titanium dioxide and the second semiconductor material are brought into contact with each other. - 特許庁

窒化物半導体層７は、ゲート電極３と活性層５との間に設けられており、第１の禁制帯幅より大きな第２の禁制帯幅を有するIII族窒化物半導体からなる。例文帳に追加

A nitride semiconductor layer 7 is provided between a gate electrode 3 and the active layer 5, and is composed of a III group nitride semiconductor with a second forbidden band width which is larger than the first forbidden band width. - 特許庁

ZnOSSe半導体は、酸素とセレンと硫黄の組成比を変化させると、禁制帯幅湾曲係数が大きいことから、少ない格子定数変化で大きく禁制帯幅が変化できる。例文帳に追加

It is possible to largely change the bandgap width with a small change in the lattice constant because the forbidden bandgap width bowing parameter of a ZnOSSe semiconductor is large, when the compositional ratio of oxygen, selenium, and oxygen in the ZnOSSe semiconductor is changed. - 特許庁

禁制帯幅の大きい内側の量子井戸層５ａから生じた光が、禁制帯幅の小さい最も外側の量子井戸層５ｂ，５ｃに入射して吸収され、誘導放出効果を高めることができる。例文帳に追加

Light stimulated from the inner quantum well layer 5a with the greater forbidden band width is made incident on the outermost quantum well layers 5b, 5c with the smaller forbidden band width and absorbed in them so that the stimulated emission effect can be improved. - 特許庁

第４半導体層６は、第３半導体層５の上において一部に隙間を有して設けられ、第２半導体層４の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する。例文帳に追加

The fourth semiconductor layer 6 is provided so as to have a gap in a portion thereof on the third semiconductor layer 5, and has a forbidden band width equal to or larger than the forbidden band width of the second semiconductor layer 4. - 特許庁