相補性の英語

相補性試験方法及びそれに用いる金粒子例文帳に追加

COMPLEMENTARITY TESTING METHOD AND GOLD PARTICLE FOR USE IN THE METHOD - 特許庁

試料核酸断片の相補性の検定方法例文帳に追加

METHOD FOR ASSAYING COMPLEMENTARITY OF SAMPLE NUCLEIC ACID FRAGMENT - 特許庁

相補性クロスト—ク遅延の小さい通信用プラグ例文帳に追加

COMMUNICATION PLUG WITH LITTLE COMPLEMENTARY CROSSTALK DELAY - 特許庁

偏光性位相補正素子および光ヘッド装置例文帳に追加

POLARIZING PHASE CORRECTION ELEMENT AND OPTICAL HEAD DEVICE - 特許庁

偏光性位相補正素子および光ヘッド装置例文帳に追加

POLARIZATION PHASE COMPENSATING ELEMENT AND OPTICAL HEAD DEVICE - 特許庁

特定のアミノ酸配列の重鎖相補性決定部位１（ＣＤＲ１）、重鎖相補性決定部位２（ＣＤＲ３）、重鎖相補性決定部位３（ＣＤＲ３）、軽鎖相補性決定部位１（ＣＤＲ１）、軽鎖相補性決定部位２（ＣＤＲ２）、および軽鎖相補性決定部位３（ＣＤＲ３）を含んでなる、単離された抗ＩＬ−１２抗体。例文帳に追加

There is provided the isolated anti-IL-12 comprising: heavy chain complementarity determining regions 1 (CDR1); heavy chain complementarity determining regions 2 (CDR3); heavy chain complementarity determining regions 3 (CDR3); light chain complementarity determining regions 1 (CDR1); light chain complementarity determining regions 2 (CDR2); and light chain complementarity determining regions 3 (CDR3) of a specified amino acid sequenc. - 特許庁

特定のアミノ酸配列の重鎖相補性決定部位１（ＣＤＲ１）、重鎖相補性決定部位２（ＣＤＲ３）、重鎖相補性決定部位３（ＣＤＲ３）、軽鎖相補性決定部位１（ＣＤＲ１）、軽鎖相補性決定部位２（ＣＤＲ２）、および軽鎖相補性決定部位３（ＣＤＲ３）を含んでなる、単離された抗ＩＬ−１２抗体。例文帳に追加

The isolated anti-IL-12 antibody includes: a heavy chain complementarity determining region 1 (CDR1); a heavy chain complementarity determining region 2 (CDR2); a heavy chain complementarity determining region 3 (CDR3); a light chain complementarity determining region 1 (CDR1); a light chain complementarity determining region 2 (CDR2); and a light chain complementarity determining region 3 (CDR3) having specific amino acid sequences. - 特許庁

本発明に係る不揮発性半導体メモリ１０は、相補データを記憶する不揮発性メモリセル１１と、読み出し動作時に相補データのそれぞれに応じた電位が現れる相補ビット線と、相補ビット線の電位に基づいて相補データをセンスするセンスアンプ回路１３と、相補ビット線に接続されたビット線チャージ回路１６と、を備える。例文帳に追加

This nonvolatile semiconductor memory 10 is provided with: a nonvolatile memory cell 11 for storing complementary data; a complementary bit line where a potential appears according to each complementary data during a reading operation; a sense amplifier circuit 13 for sensing the complementary data based on the potential of the complementary bit line; and a bit line charge circuit 16 connected to the complementary bit line. - 特許庁