相互接続材料の英語

構造底部のバリア材料厚と比べると、構造側壁においてより厚いバリア材料被覆範囲を有する相互接続構造体、及び、そのような相互接続構造体を製造する方法が提供される。例文帳に追加

There are provided an interconnection structure having a barrier material coverage range in which the barrier material thickness of the sidewall of the structure is larger than that of the bottom portion of the structure, and the method of manufacturing such interconnection structure. - 特許庁

構造底部のバリア材料厚と比べると、構造側壁においてより厚いバリア材料被覆範囲を有する相互接続構造体、及び、そのような相互接続構造体を製造する方法を提供すること。例文帳に追加

To provide an interconnection structure having a barrier material coverage range in which the barrier material thickness of the sidewall of the structure is larger than that of the bottom portion of the structure, and to provide the method of manufacturing such interconnection structure. - 特許庁

銅などの第１の材料とＡｌ、Ｗ、ＰｂＳｎなどの第２の材料の間に六方晶相のＴａＮ層を組み込んだ、電気的相互接続用の相互接続構造及びバリア層を開示する。例文帳に追加

An electrical interconnect structure where the TaN layer of a hexagonal phase is incorporated between a first material such as copper and a second one such as Al, W, and PbSn, and a barrier layer is disclosed. - 特許庁

通路３７は誘電体材料層３６を貫通し、かつ、電気相互接続部３３の端部３４をインダクタ２１に接続している。例文帳に追加

A passage 37 penetrates through the dielectric material layer 36 while the end part 34 of the electric interconnection unit 33 is connected to the inductor 21. - 特許庁

このパッシベーション層は、相互接続材料にボンディングされたときに金属学的に安定した材料（例：Ｔａ）から選択される。例文帳に追加

The passivation layer is selected from material (for example: Ta) which is metallurgically stable when the passivation layer is bonded to interconnection material. - 特許庁

このパッシベーション層は、相互接続材料にボンディングされたときに金属学的に安定した材料（例：Ｔａ）から選択される。例文帳に追加

Material for the layer 32 is selected from among materials (such as Ta material), which are metallurgicolly stable, when the materials are bonded to an interconnecting material. - 特許庁

第１の平坦な相互接続層１４上の第２の平坦な相互接続層１８は、第１の平坦な相互接続層１４の誘電体材料より高い弾性係数を有する誘電体膜２６と、誘電体膜２６を通る導電バイア２８とからなる。例文帳に追加

A second flat interconnection layer 18 on the first flat interconnection layer 14, consists of a dielectric film 26 having a higher elastic modulus than that of a dielectric material in the first flat interconnection layer 14, and an electrical conduction via 28 passing through the dielectric film 26. - 特許庁

第２の平坦な相互接続層１８上の第３の平坦な相互接続層２０は、誘電体材料によって分離され、導電バイアに選択的に接触している複数のライン導体２２を有する。例文帳に追加

A third flat interconnection layer 20 on the second flat interconnection layer 18, has several line conductors 22 which are isolated by dielectric materials and contact electrical conduction vias selectively. - 特許庁