損なう不純にするの英語

装置が大がかりなものとならず、煩雑な作業を要せずに、レーザ運転の効率を損なうことなく、レーザガス中の不純物の濃度を計測する。例文帳に追加

To measure the concentration of impurities in laser gas without requiring a large-scale device and complicated operation, and without deteriorating efficiency of laser operation. - 特許庁

不純物領域の活性化を上記の方法で行うことにより結晶性を損なうことなく活性化することができる。例文帳に追加

Since the activation of the impurity region is made by the above method, the impurity region can be activated without losing crystallizability. - 特許庁

シリコーン樹脂が本来持っている電気的、光学的特性を損なうことなく、粗製シリコーン樹脂に含まれる低分子量不純物を選択的かつ十分に除去できる重合性エチレン性不飽和二重結合を分子内に有するシリコーン樹脂の精製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for purification of a silicone resin which has polymerizable ethylenic unsaturated double bonds in the molecule, by selectively and substantially removing low molecular weight impurities contained in a crude silicone resin, without impairing electrical and optical performances that inhere in the silicone resin. - 特許庁

ポリマー粒子に分解や着色を起こさせず、粉末の流動性を損なうことなく、ポリマー粉末に含まれる残存モノマー、有機溶媒、臭気成分等の不純物を極めて効率よく且つ高度に分離、除去する乾燥方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for drying by which impurities such as residual monomers, organic solvents or malodorous components contained in a polymer powder are extremely efficiently and highly separated and removed without causing decomposition or discoloration in polymer particles and without deteriorating fluidity of the powder. - 特許庁

メモリ素子用ＦＥＴにおけるゲート絶縁膜の膜質を損なうことなく、ロジック素子用ＦＥＴにおけるゲート電極の不純物が活性化されることにより電流駆動能力が維持され、かつ短チャネル効果が防止された半導体装置およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device maintaining a current-driving capability and preventing the short channel effect by activating the impurities of a gate electrode in a FET for logic element without spoiling the quality of a gate insulator film in a FET for memory element and a method of manufacturing it. - 特許庁

従来のＩＧ法による弊害が回避され、ゲッタリング効果を良好に発揮できるシリコン単結晶ウエハを提供すること、デバイス形成側面の表層には不純物や結晶歪みがほとんど存在せず、しかも強度特性、電気抵抗特性等の諸特性を損なうことなくウエハ内部（バルク）にゲッタリングサイトが密に存在するシリコン単結晶ウエハを提供すること。例文帳に追加

To provide a silicon single crystal wafer which well displays the gettering effect by avoiding the abuses of the conventional IG method, contains little impurity or crystal strain on the surface layer at the device forming side and has gettering sites compactly existing in the wafer interior, without deteriorating various characteristics such as intensity characteristic, electric resistance characteristics, etc. - 特許庁

銅合金からなる鉄鋼連続鋳造鋳型において、鋳型銅材の高温強度を損なうことなく、溶鋼由来の不純物の亜鉛、アルミニウム、スズ、鉛、カドミウム等に代表される融点７００℃以下の低融点金属元素による侵食・合金化を抑制し、メニスカス近傍におけるヒートクラックの発生を抑制することを目的とする。例文帳に追加

To restrain erosion/alloying caused by low melting point metal elements having ≤ 700°C melting point represented by zinc, aluminum, tin, lead, cadmium, etc., as the original impurities in molten steel and also, restrain the development of a heat crack near a meniscus, without damaging high temperature strength of a copper material for mold in the mold for continuously casting the steel, composed of a copper alloy. - 特許庁