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成長面の英語
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英訳・英語 growth face
「成長面」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 3605件
水面下で成長または居残る例文帳に追加
growing or remaining under water発音を聞く - 日本語WordNet
大きな成長速度で成長した第1の成長層21の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第2の成長層22を成長させることにより、第1の成長層21の表面の窪みが埋められ、第2の成長層22の表面を平坦にすることができる。例文帳に追加
The surface of the first layer 21 grown at the faster growth rate becomes rough, but, since the second layer 22 is grown at the lower growth rate, the recessed parts on the surface of the layer 21 are filled up and the surface of the second layer 22 can be formed in a flat surface. - 特許庁
そののち、成長面に対して垂直な方向の成長速度が10μm/h以下となるように第2の成長層22を成長させる。例文帳に追加
Then a second grown layer 22 is grown so that the growth rate in the direction perpendicular to the growing surface may become ≤10 μm/h. - 特許庁
次いで、成長面に対して垂直な方向の成長速度が10μm/h以下となるように第2の成長層22を成長させる。例文帳に追加
A second growth layer 22 is then grown in such a manner that the growth velocity in the direction perpendicular to the growth surface is not higher than 10 μm/h. - 特許庁
次いで、成長面に対して垂直な方向の成長速度が10μm/h以下となるように第2の成長層22を成長させる。例文帳に追加
Then, a second growth layer 22 is grown so that the growth rate in the perpendicular direction to the growth face is ≤10 μm/h. - 特許庁
Mgの注入が、いくつかの状況でGa面のGaNの成長をN面の成長に転化させることがわかった。例文帳に追加
It was found that Mg doping inverts growth of GaN on Ga-face to N-face in some situations.発音を聞く - 科学技術論文動詞集
窒化ガリウム単結晶基板の表面にエピタキシャル成長させる際に裏面に成長させない。例文帳に追加
To prevent growth on the rear side, when making epitaxial grow on the surface of a gallium nitride single-crystal substrate. - 特許庁
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「成長面」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 3605件
(1)SiC種結晶12は、複数個の副成長面からなる主成長面を備えている。例文帳に追加
(1) The SiC seed crystal 12 has a main growth plane composed of a plurality of sub-growth planes. - 特許庁
結晶成長時の成長界面の面内温度分布における最大温度差が2℃以下とする。例文帳に追加
Where the maximum temperature difference in temperature distribution within the face of a growth interface when growing the crystal, is at most 2°C. - 特許庁
基板表面における主面の段差部が結晶成長の起点となり、成長速度が向上する。例文帳に追加
The step part of the main surface on the substrate surface is a starting point for crystal growth, improving the growth speed. - 特許庁
大面積バナジウム酸化物薄膜の成長装置及びその成長装置での大面積酸化物薄膜の成長方法例文帳に追加
APPARATUS FOR GROWING LARGE AREA VANADIUM DIOXIDE THIN FILM AND METHOD OF GROWING LARGE AREA OXIDE THIN FILM WITH THE APPARATUS - 特許庁
これにより、第2の表面2からの成長が第1の表面1の成長に覆うように成長して、欠陥密度を低減させることができる。例文帳に追加
Hereby, the growth from the second surface is performed to cover the first surface 1, whereby defect density can be reduced. - 特許庁
第1の成長層21の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第2の成長層22を成長させることにより、第1の成長層21の表面の窪みが埋められ、第2の成長層22の表面が平坦化される。例文帳に追加
Although the surface of the first growth layer 21 is coarse, the recesses in the surface of the first growth layer 21 are buried and the surface of the second growth layer 22 is flattened by growing the second growth layer 22 at a growth velocity lower than that of the first growth layer 21. - 特許庁
第1の成長層21の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第2の成長層22を成長させることにより、第1の成長層21の表面の窪みが埋められ、第2の成長層22の表面が平坦化される。例文帳に追加
Although the surface of the first growth layer 21 becomes coarse, the surface dimples of the first growth layer 21 are filled up by causing the second growth layer 22 to grow more slowly than the first growth layer 21; thus, the surface of the second growth layer 22 is made flat. - 特許庁
成長用基体10上に、成長面に対して垂直な方向の成長速度が10μm/hより大きくなるように第1の成長層21を成長させる。例文帳に追加
A first growth layer 21 is grown on a base body 10 for growth in such a manner that the growth velocity in the direction perpendicular to the growth surface is higher than 10 μm/h. - 特許庁
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