平均2乗の英語

位相シフト膜２に含まれる金属と珪素との原子％の比率が、金属：珪素＝１：２より大きい膜で構成され、かつ自乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で２ｎｍ以下となる緻密な膜である。例文帳に追加

The phase shift film 2 comprises a film, having a ratio of atomic percentages of the metal to silicon larger than metal:silicon=1:2 and is a dense film with ≤2 nm for root-mean-square (RMS) roughness. - 特許庁

ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^2面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。例文帳に追加

A high quality wafer includes Al_xGa_yIn_zN (in the formula, 0<y≤1 and x+y+z=1) characterized by the root square average surface roughness of less than 1 nm in an area of 10×10 μm^2 on the Ga side of the wafer. - 特許庁

２　日日雇い入れられる者の休業補償の額の算定については、平均賃金の百分の六十に告示で定める率を乗ずるものとする。例文帳に追加

(2) With regard to workers hired on a daily basis, an amount of compensation for absence from work shall be calculated by multiplying 60 percent of the amount of average wages by the rate prescribed by public notice.発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

開業翌年の1873年の営業状況は、乗客が1日平均4347人、年間の旅客収入42万円と貨物収入2万円、そこから直接経費の23万円を引くと21万円の利益となっている。例文帳に追加

The year after the opening in 1873, it had an average of 4347 passengers a day and an annual passenger income of 420,000 yen plus cargo income of 20,000 yen and subtracting the direct operating expenses of 270,000 yen, it netted 210,000 yen.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

演算処理部２の目標速度設定機能２５は、普段移動する際の平均移動速度に、入力操作部４を用いてユーザが入力した倍率を乗算して得た速度を目標移動速度として設定する。例文帳に追加

A target speed setting function 25 of the arithmetic processing part 2 sets a speed obtained by multiplying an average moving speed when the user usually moves by a ratio input by the user using the input operation part 4 as a target moving speed. - 特許庁

ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。例文帳に追加

A high quality wafer comprises Al_xGa_yIn_zN (wherein 0<y≤1 and x+y+z=1) and is characterized by a root mean square surface roughness of less than 1 nm in a 10×10 μm^2 area at its Ga-side. - 特許庁

発電層４の表面の面平均自乗粗さが２ｎｍ以下であり、かつ発電層４の膜厚のばらつきが、発電層４の全体で±１０％以内であることを特徴とする。例文帳に追加

The surface of the power generation layer 4 has a mean square roughness of 2 nm or less, and the variation in film thickness of the whole power generation layer 4 is within ±10%. - 特許庁

ウェーハのＧａ側における１０×１０μｍ^２面積内で１ｎｍ未満の根二乗平均表面粗さを特徴とする、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_ｚＮ（式中、０＜ｙ≦１およびｘ＋ｙ＋ｚ＝１）を含む高品質ウェーハ。例文帳に追加

A high quality wafer including Al_xGa_yIn_zN, wherein 0<y≤1 and x+y+z=1, with a root mean square surface roughness of less than 1 nm in an area of 10×10 μm^2 area on its Ga-side. - 特許庁