寿命モデルの英語

高精度のＮＢＴＩ寿命モデルおよびＴＤＤＢ寿命モデルを新たに作成し、該モデルを使用することにより、高精度で応用範囲の広いＮＢＴＩ劣化シミュレーションおよびＴＤＤＢ故障シミュレーションを実現する。例文帳に追加

To realize NBTI deterioration simulation and TDDB failure simulation which are very accurate and have wide application by creating an accurate NBTI (Negative Bias Temperature Instability) life model and TDDB (Time Dependent Dielectric Breakdown) life model and using them. - 特許庁

配線基板組立体に対応して解析用配線基板組立体モデル３Ｍを設定するモデル設定ステップＳ１と、解析用配線基板組立体モデル３Ｍに対して、線形被害則を用いて構築されたはんだ寿命解析シミュレーションＳｈｚを用いてはんだ１０の寿命を求めるはんだ寿命算出ステップＳ３とを備えた。例文帳に追加

The method comprises a model setting step S1 of setting a wiring board assembly analysis model 3M corresponding to a wiring board assembly; and a solder life calculating step S3 of calculating the lifetime of a solder 10, by subjecting the wiring board assembly analysis model 3M to a solder lifetime analysis simulation Shz constructed by using a linear damage rule. - 特許庁

有限要素解析モデルを作成する時間を短くできると共に、精度良く疲労寿命を予測することができるスポット溶接構造体の疲労寿命予測方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for predicting the fatigue life of a spot-welded structure that can shorten the time to create a finite element analysis model and can predict an accurate fatigue life. - 特許庁

基底膜レベルで一定レベルの皮膚潰瘍を容易に発症し、かつ実験動物モデルとして十分な寿命を有するマウスを提供すること。例文帳に追加

To provide a mouse easily onsetting a skin ulcer of a specific level of a basal lamina level and having an enough life span as a laboratory animal. - 特許庁

本発明の製品寿命分析装置では、新たに更新されたモニタリングデータと、製品の過去の故障データを利用して、製品寿命モデルのパラメータの値を更新することから、過去に保存しているモニタリングデータ全てを利用して、製品寿命モデルパラメータの値を更新するよりも、計算時間を短縮することができる。例文帳に追加

Since a product life analysis apparatus updates parameter values of a product life model by utilizing newly updated monitoring data and past failure data of a product, calculation time can be shortened as compared with a conventional method for updating the parameter values of the product life model by using all monitoring data stored in the past. - 特許庁

信頼性シミュレーションモデルとして、フィッティング誤差やＡＣ固有のホットキャリア劣化による寿命の誤差のないモデルを作成する。例文帳に追加

To improve circuit reliability simulation accuracy by modifying the expression of correlation between the stress and life of an MOS transistor by using a hot carrier life parameter after it is corrected to make a simulated value coincide with an experimented value. - 特許庁

新世代ＧＣ時ヒープ使用量計測手段１によりヒープ使用量を計測して割り付け量、回収量４を求め、既存の分布関数をオブジェクトの寿命分布モデルとして、モデル作成手段２により割り付け量と回収量の関係のモデルを作成する。例文帳に追加

Heap usage is measured by a means 1 for measuring heap usage at new generation GC, to obtain an allocation quantity and a recovery quantity 4, and an existing distribution function is taken as a lifetime distribution model of objects to generate a model of relation between the allocation quantity and the recovery quantity by a model generation means 2. - 特許庁

基板電流モデル，ゲート電流モデルなどによる実験と、シミュレーションのモデル式の作成とを行なった後、ＤＣストレス印加実験を行ない、実験データに基づいてホットキャリア寿命パラメータであるＨ，ｍを補正する。例文帳に追加

A DC stress is applied to a transistor under maximum substrate current conditions or maximum gate current conditions and as a result, a coefficient H and an exponent (m) are corrected in accordance with the voltage acceleration coefficient and the life of obtained data (S2a). - 特許庁