対向ターゲット形スパッタリングの英語

本発明の実施形態に係るスパッタリング装置は、ターゲットユニット２１を空間部１９に対して着脱操作する際、リブ１８と対向するターゲット部３１を、リブ１８と対向する第１の状態からリブ１８と対向しない第２の状態へ変換可能な変換機構を備える。例文帳に追加

The sputtering system concerning to the embodiment has a conversion mechanism where, when a target unit 21 is subjected to attachment/detachment operations to a space part 19, a target 31 confronted with a rib 18 can be converted from a first state where it is confronted with the rib 18 to a second state where it is not confronted with the rib 18. - 特許庁

本発明の成膜方法は、チャンバ内にスパッタリングガスおよび反応ガスを供給して所定の真空度に保ち、チャンバ内に設けられ、ターゲット保持部により基板に対向して保持された金属ターゲットに電圧を印加してスパッタリングを行い基板に所定の膜を形成するものである。例文帳に追加

The film-forming method includes: supplying a sputtering gas and a reaction gas into a chamber to keep a predetermined degree of the vacuum; and forming a predetermined film on a substrate by sputtering a metal target which is installed in the chamber and is held by a target-holding part so as to oppose to the substrate, through applying a voltage to the target. - 特許庁

薄膜を形成すべき基板に対し対向して配設されたターゲットから薄膜形成用のスパッタリング粒子を発生させるための各磁石ユニットを各磁石取付板５０ａ、５０ｂ、５０ｃに設ける。例文帳に追加

Each magnet unit for generating sputtering particles for forming a thin film from a target arranged oppositely to the substrate to be thin film- formed is provided on each magnet fitting boards 50a, 50b and 50c. - 特許庁

直流反応性対向ターゲット方式スパッタリング成膜方法、その成膜方法によって形成される純イットリア耐食膜、及び耐食性石英構成体例文帳に追加

FILM-FORMING METHOD BY DIRECT-CURRENT REACTIVE FACING TARGET TYPE SPUTTERING, PURE YTTRIA CORROSION-RESISTANT FILM FORMED WITH THE FILM-FORMING METHOD, AND CORROSION-RESISTANT QUARTZ ASSEMBLY - 特許庁

マグネトロンスパッタリング装置は、表面に薄膜が形成される基板４を保持する基板ホルダー３と、基板４に対向配置されたターゲット１２とを真空容器１内に収容している。例文帳に追加

The magnetron sputtering system has a substrate holder 3 for holding a substrate 4 where a thin film is to be deposited on the surface and a target 12 disposed to be opposed to the substrate 4 in a vacuum vessel 1. - 特許庁

スパッタリング装置において、ターゲット８の側面８ａまたは側面８ａに対向するアッパシールド６の側面６ｂのいずれか一方の面がブラスト処理したブラスト面と鏡面処理した鏡面より形成されている。例文帳に追加

In the sputtering apparatus, either a side face 8a of a target 8 or a side face 6b of an upper shield 6 facing the side face 8a is formed from a blasted face subjected to blasting and a mirror face subjected to mirror treatment. - 特許庁

スパッタリングされたターゲットＡ，ＢのＺｎ粒子を、酸素ガスと反応させつつ、対向するターゲットの軸方向からずらされて配置され、ゲート電極が形成された基板上に堆積し、該ゲート電極に対応するようにＺｎＯ膜を形成する。例文帳に追加

A Zn particle in the targets A, B being subjected to sputtering is allowed to react with oxygen gas, and is arranged while being shifted from the axial direction of the opposing target, and is deposited on a substrate in which a gate electrode is formed for forming a ZnO film corresponding to the gate electrode. - 特許庁

スパッタリング装置は、真空チャンバ１内にターゲット３を配置し、同真空チャンバ１内にガスを供給して希薄ガス雰囲気とすると共に、この希薄ガスを電離し、電離した荷電粒子を前記ターゲット３に衝突させて、これによりターゲット３から発生して粒子をターゲット３と対向する基板５上に堆積させて薄膜を形成するものである。例文帳に追加

In a sputtering apparatus, the target 3 is arranged in a vacuum chamber 1, gas is fed into the vacuum chamber 1 to form a lean gas atmosphere, the lean gas is ionized, ionized charged particles are collided with the target 3, and thus, the particles generated from the target 3 are deposited on the substrate 5 opposing the target 3 to deposit a thin film. - 特許庁