孤立欠陥の英語

次に、周期性特徴量である、欠陥の発生方向，欠陥同士の間隔，発生座標等のパラメータにより周期性判定処理(4016)を行うことによって、周期的に発生する線状，円弧状欠陥と、孤立に発生する線状，円弧状欠陥とを分類して検出する。例文帳に追加

Subsequently, periodic determining processing (4016) is performed by a parameter such as a flaw occurring direction, the mutual interval between the flaws, produced coordinates or the like being a periodic feature quantity to classify the periodically occurring linear and circular arc-like flaws and the insularly occurring linear and circular arc-like flaws to detect them. - 特許庁

荷電粒子ビームを用いたフォトマスク欠陥修正において、孤立パターンのチャージアップを、パターンを傷つけることなく、効率よく抑止する。例文帳に追加

To efficiently suppress charge-up of an isolated pattern without damaging the pattern in photomask defect correction using charged particle beam. - 特許庁

孤立したフィーチャを、局部的に画素毎に解析するのではなく、個々の、全フィーチャとしてグローバルに欠陥を解析する。例文帳に追加

Not the isolated features are locally analyzed by each of pixels but defects are globally analyzed as the individual total feature. - 特許庁

観察範囲内に複数の孤立パターンがあり、欠陥を含む孤立パターンを設置してもチャージアップの影響が出る場合には、複数の導電性探針でそれぞれの孤立パターンを接地してチャージアップの影響を抑える。例文帳に追加

When a plurality of isolating patterns are present in an observation range and the effect of charge-up arises even when an isolating pattern including a defect is grounded, the isolating patterns are grounded by the respective conducting probes to suppress the effect of charge-up. - 特許庁

チャージアップのためにイオンビーム欠陥修正装置で観察しにくい微細化な孤立したパターンやOPCパターンの高精度かつ高品位な欠陥修正を可能にする。例文帳に追加

To enable a highly accurate and high quality defect correction of an isolated fine pattern and an OPC pattern which is hardly observed by an ion beam defect correcting device because of charge-up. - 特許庁

磁気により情報を記録・再生する記録装置に関し、とくに孤立した磁性ドットを形成した磁気記録媒体の欠陥を検査する欠陥検査装置を提供する。例文帳に追加

To provide a defect inspection device inspecting, in particular a defect of a magnetic recording medium where isolated magnetic dots are formed, relating to a recording device recording and playing back information by magnetism. - 特許庁

電子ビームまたはガスフィールドイオン源から発生するヘリウムイオンビームで孤立パターンの欠陥を修正するときのチャージアップに起因する問題点を解決する。例文帳に追加

To solve problems resulting from charge-up upon correcting a defect in an isolated pattern with an electron beam or a helium ion beam generating from a gas field ion source. - 特許庁

集束イオンビーム微細加工装置を用いたフォトマスクの孤立パターンの欠陥修正時のチャージアップに起因する問題点を解決する。例文帳に追加

To solve the problems caused by charge-up at the correction of the defects of an isolated pattern, in a photomask that uses a focused ion beam microfabrication device. - 特許庁