外因性半導体の英語

組立後に発生する内在応力及び使用条件下で発生する外因性応力を緩和し、とくにチップ表面に近い領域に形成された浅いジャンクションを有する製品に適した表面積層電極構造を備えた半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device equipped with a surface laminated electrode structure which relaxes an intrinsic stress generated after assembly and an extrinsic stress generated under conditions of use, and which is suitable for products having a shallow junction formed at a region particularly near a chip surface. - 特許庁

本発明のバイポーラ・トランジスタは、バイアス電圧を受ける導電性裏側電極と、この導電性裏側電極の上に位置する絶縁層と、第１導電型のドーパントを含有するベース、およびこのベースに隣接し第２導電型のドーパントを含有する外因性コレクタを備え、さらに絶縁層の上に位置する第１半導体層と、ベースの一部分の上に位置し第２導電型のドーパントを含有する第２半導体層を備えるエミッタとを備える。例文帳に追加

The bipolar transistor comprises a conductive backside electrode that receives an applied bias voltage, an insulating layer located on the conductive backside electrode, and an extrinsic collector containing a base containing a first conductivity type dopant and a second conductivity type dopant adjacent to the base and further comprises an emitter provided with a semiconductor layer located on the insulating layer and a second semiconductor layer located on a part of the base and containing the second conductivity type dopant. - 特許庁

電圧順応性のある多段階外因相互コンダクタンス増幅高電子移動度トランジスタは、半導体基板上に、順に、バッファ層と、主チャンネル層と、ガリウムインジウム砒素/ガリウム砒素の厚さが累積的である超格子構造と、単原子δ-ドーピングキャリア供給層と、ゲートショットキーコンタクト層と、ドレーン/ソースオーミックコンタクト層とが配置され、その中で、上記超格子構造には、障壁層とサブチャンネル層とがある。例文帳に追加

The voltage-compliant multiple-stage extrinsic transconductance amplification high electron mobility transistor has a buffer layer, a main channel layer, a superlattice structure having a cumulative thickness of GaInAs/GaAs, a single-atom δ-doping career supply layer, a gate Schottky contact layer, a drain/source ohmic contact layer, successively disposed on a semiconductor substrate, in which the superlattice structure includes a barrier layer and a subchannel layer. - 特許庁