基礎層板の英語

基礎基板、基礎基板の上面に配置されており、互いに並列に接続されている複数個の発光チップ、前記発光チップを覆っている蛍光物質層を含む発光ダイオードを用意する。例文帳に追加

The light-emitting diode are provided with a basic substrate, a plurality of light-emitting chips disposed on the upper surface of the basic substrate and connected in parallel with each other, and a light-emitting diode including a fluorescent material layer that covers the light-emitting chip. - 特許庁

水上構造物基礎部の構築、維持、補修にあたって硬質地盤に支持層を貫入させた鋼管矢板壁体で該基礎部を囲むことによって流水の影響から防護し、環境保全、景観向上を行う。例文帳に追加

In the case the waterborne structure foundation section is constructed, maintained and repaired, it is protected from the influence of the flowing water by surrounding the foundation section with a steel pipe sheet pile wall body penetrating a supporting layer through the hard ground, and maintenance of the environment and improvement of an external appearance can be performed. - 特許庁

この中間層１２を基礎として、石英ガラスなどの非晶質体よりなる基板１１の上に単結晶の半導体層２０を成長させる。例文帳に追加

The single crystal semiconductor layer 20 is grown on the amorphous substrate 11 of quartz glass, or the like, using the semiconductor layer 20 as a base. - 特許庁

搭載基礎は第1の半導体素材の基板及び基板を覆って形成された高熱伝導性を持つ素材の第1の層を含む。例文帳に追加

The mounting base includes a substrate of a first semiconductor material and a first layer of a material with high thermal conductivity formed so as to cover the substrate. - 特許庁

基礎底盤１上にステンレス等よりなる平滑板２が配置され、その上に摺動板５を有した積層体４が配置されている。例文帳に追加

A smooth plate 2 made of stainless steel, etc., is arranged on a foundation batholith 1, and a layered body 4, having a sliding plate 5 is arranged on it. - 特許庁

基礎底盤１上にステンレス等よりなる平滑板２が配置され、その上に摺動板５を有した積層体４が配置されている。例文帳に追加

A smooth plate 2 formed of stainless is arranged on a foundation bottom board 1 and a laminate having a slide plate is arranged thereon. - 特許庁

発光素子用基板は、発光層６を含む半導体層（ｎ型半導体層５、発光層６、ｐ型半導体層７、基板４）と、半導体層と中間層３５を介して接合された基礎基板２とを備える。例文帳に追加

The substrate for the light-emitting element includes a semiconductor layer (an n-type semiconductor layer 5, a light-emitting layer 6, a p-type semiconductor layer 7, and a substrate 4) including the light-emitting layer 6, and the base substrate 2 bonded to the semiconductor layer through an intermediate layer 35. - 特許庁

この格子間型転位ループが、ＳｉＧｅ層とシリコン基板の間でのミスフィット転位の核生成の基礎となる。例文帳に追加

The interstitial dislocation loop is a base for the nucleation of the misfit dislocation between the SiGe layer and the silicon substrate. - 特許庁