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JST科学技術用語日英対訳辞書での「半確徴」の英訳

半確徴


「半確徴」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 17



例文

デザインの特に依存して導体装置に発生する欠陥を正かつ高い効率で定量化する。例文帳に追加

To accurately quantify defects with high efficiency that are generated in a semiconductor device, depending on the design features. - 特許庁

こうすることによって、結晶構造を有する導体膜に対して微量な量のボロンイオンを正、且つ、均一に添加して、しきい値を制御することを特としている。例文帳に追加

This allows a trace of boron ion to be accurately and evenly loaded into the semiconductor film having the crystal structure, thereby controlling the threshold values. - 特許庁

モンテカルロ法を用いた導体デバイスに対するシミュレーション方法であって、導体デバイス中にドーピングされた不純物により生成されるポテンシャルの相関関数を用いて、導体デバイスにおけるキャリアの散乱率を計算することを特とする導体デバイスに対するシミュレーション方法を提供する。例文帳に追加

The method for simulating the semiconductor device using a Monte Carlo method comprises the step of calculating scattering probability of a carrier in the device, by using a correlation function of a potential generated by an impurity doped in the device. - 特許庁

このように、爆発行程中はクランクシャフトの角速度が上昇するという失火の特を的に把握することにより、失火と失火を適切に区別して把握することができ、失火検出精度の向上が図ることができる。例文帳に追加

In this way, the misfire can be suitably distinguished from the half misfire by suitably grasping such a characteristic of the half misfire that the angular speed of the crankshaft increases in the explosion stroke. - 特許庁

南北朝時代(日本)に入ると、北朝(日本)を擁した室町幕府は、兵粮保を名目に済令を出して荘園・公領の年貢分の収権を守護に認めた。例文帳に追加

Upon entering the period of the Northern and Southern Courts, the Muromachi bakufu, which championed the Northern Court, issued Hanzeirei (order allowing military governors, or Shugo, to collect half of the taxes from manors and demesnes as military fund) on the pretense of keeping the army provisioned; the law recognized the authority of Shugo (provincial constable) to levy a half-tax (50% of all rice) annually on all private estates and public territories.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

本発明は、素子間分離にSTI構造を採用する不揮発性導体記憶装置において、ソース領域をより実に接続できるようにすることを最も主要な特とする。例文帳に追加

To make feasible connecting a source region more reliably in a non- volatile semiconductor memory adopting an STI(shallow trench isolation) structure in the interelement isolation. - 特許庁

例文

導体実装プロセスにおいて、LSI素子と回路基板とのギャップを十分に保し、シード層上へのハンダの濡れ広がりを防止し、接合の信頼性を向上する事を特とする導体装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor device in which reliability of bonding is improved by sufficiently securing a gap between an LSI element and a circuit board to prevent wetting spread of a solder to a seed layer, in a semiconductor mounting process. - 特許庁

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「半確徴」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 17



例文

導体装置5を高温雰囲気内で通電し所定時間保持するバーンイン試験のために絶縁基板1上に多数のソケット3を配列した試験用基板4へ導体装置5を供給する際に上記ソケット3に装着された導体装置5に通電し通電異常が認された導体装置5を試験用基板4から取り外すようにしたことを特とするバーンイン試験用基板への導体装置の供給方法。例文帳に追加

At that time, conduction is made to the semiconductor device 5 being fitted to the socket 3, the semiconductor device 5 where the abnormality of the conduction has been confirmed is removed from the substrate 4 for testing. - 特許庁

セラミック基板の内部に、導電体と外部端子との電気的接続を保するためのスルーホールが形成された導体製造・検査装置用セラミック基板において、上記スルーホールの少なくとも一部が導電性セラミックからなることを特とする導体製造・検査装置用セラミック基板。例文帳に追加

In a ceramic substrate for semiconductor manufacturing/ inspecting device in which through-holes are formed for securing electrical connection between a conductor and external terminals, at least parts of the through-holes are made of a conductive ceramic. - 特許庁

セラミック基板の内部に、導電体と外部端子との電気的接続を保するためのスルーホールが形成された導体製造・検査装置用セラミック基板において、上記スルーホールの少なくとも一部が導電性セラミックからなることを特とする導体製造・検査装置用セラミック基板。例文帳に追加

In the ceramic substrate for the semiconductor manufacturing/ inspecting device having a through-hole for securing the electric connection of a conductor and the external terminal formed inside the ceramic substrate, at least a part of the through-hole is composed of conductive ceramic. - 特許庁

導体集積回路の設計方法であって、前記集積回路のレイアウト設計用の設計データを保持し、前記集積回路を構成する配線のスイッチング率の情報を保持し、前記配線の配置を、前記設計データと前記スイッチング率とに基づいて決定することを特とする設計方法。例文帳に追加

In the design method of the semiconductor integrated circuit, design data for layout design of the integrated circuit are held, information of the switching probability of wiring constituting the integrated circuit is held, and the arrangement of the wiring is determined on the basis of the design data and the switching probability. - 特許庁

表面に絶縁膜を有する導体ウェーハの一方の表面の全面にイオンを注入する際のイオン注入状況の認方法であって、イオン注入の開始から終了までの間を通して、前記注入イオンのイオンビームが前記導体ウェーハの表面上に照射される際に生ずる発光を直接的または間接的に観察することによって、前記導体ウェーハへのイオン注入が前記全面に行われているかどうかを認することを特とするイオン注入状況の認方法。例文帳に追加

There is provided a method for confirming an ion implantation status upon implanting ions into one entire surface of a semiconductor wafer having an insulating film thereon, in which it is confirmed whether the ion implantation is conducted into the entire surface of the semiconductor wafer by observing directly or indirectly light emitted when the surface of the semiconductor wafer is irradiated with an ion beam of the implanted ions from the start of the ion implantation through the end thereof. - 特許庁

透明もしくは透明な板(1)に、統計学での分野で出てくる主要な率分布である、標準正規分布(2)、分散の大きい正規分布(3)、分散の小さい正規分布(4)、t分布(5)、F分布(6)、カイ2乗分布(7)の形の孔を設けたことを特とする。例文帳に追加

A transparent or translucent plate 1 has holes of the forms of a standard normal distribution 2, normal distribution 3 having a large dispersion, normal distribution 4 having a small dispersion, t distribution 5, F distribution 6 and square factorial distribution 7 of essential probability distributions appearing in a field of statistics. - 特許庁

画像を順次横方向に走査し、画素を2値化して走査(縦または横)方向に連続する線分の長さおよび個数を計測して線分長のヒストグラムを作成し、このヒストグラムおよび計測する画像パターンの線分長の率分布から、径などの特量を算出するようにした。例文帳に追加

An image is scanned sequentially in a horizontal direction, then a histogram having a line segment length by measuring each length and the number of line segments which are continuous in a scan (vertical or horizontal) direction is produced after each pixel is binarized, then feature amount such as radius etc. is calculated from the histogram and probability distribution of each line segment length of each image pattern to be measured. - 特許庁

例文

本発明は、ウエファ上にアライメントターゲットチップを多数設けることにより、ダイシング後に位置ずれが生じても位置補正してマッピングデータを作りなおすもので、特性データと導体チップを正に対応させることができるので微小チップの場合でもアドレス方式により必要な特性ランクの選別組み立てが行えることに特を有する。例文帳に追加

Since characteristic data and the semiconductor chip can be made to correspond exactly, even in the case of fine chip, the required characteristic rank can be selected and assembled by the address system. - 特許庁

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