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半波電位の英語
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英訳・英語 half‐wave potential; half‐step potential
「半波電位」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 26件
半導体集積回路の回路情報108を用いて、電源電位及び基板電位の解析を行い(S101,S102)、得られた電源電位波形情報112および基板電位波形情報113から、電源電位と基板電位との差分値を表す電位差情報114を求める(S103)。例文帳に追加
Power supply potential and substrate potential are analyzed by using the circuit information 108 of the semiconductor integrated circuit (S101, S102), and from obtained power supply potential waveform information 112 and substrate potential waveform information 113, potential difference information 114 indicating a difference value between the power supply potential and the substrate potential is obtained (S103). - 特許庁
半導体装置62Aは、高電位側電源端子6と、低電位側電源端子11と、高電位と低電位との間で変化するパルス状の駆動波形が印加される電力充放電端子66と、容量性負荷7が接続される出力端子64とを有する。例文帳に追加
The semiconductor device 62A is provided with a high potential side source terminal 6, a low potential side source terminal 11, a power charge/ discharge terminal 66 applied with a pulse-shaped drive waveform changed between the high potential and the low potential and an output terminal 64 connected with the capacitive load 7. - 特許庁
複数の半導体チップの各主電極電位を揃える事、半導体チップ間に流れる高周波電波を抑制する事、且つ、半導体装置の安定動作を確保する事。例文帳に追加
To uniform each main electrode potential of a plurality of semiconductor chips, to suppress a high frequency radio wave flowing between the semiconductor chips, and to ensure a stable operation of a semiconductor device. - 特許庁
レーザ電圧プローブ測定用素子及びそれを用いた半導体集積回路内部の電位波形測定方法例文帳に追加
ELEMENT FOR LASER VOLTAGE PROBE MEASUREMENT, AND METHOD FOR MEASURING POTENTIAL WAVEFORM IN SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT USING IT - 特許庁
電極1には高周波電源6が接続されており、半導体基板7を支持する支持体8には接地電位が付与されている。例文帳に追加
A high-frequency power supply 6 is connected to the electrode 1, and a supporting body 8 for supporting the semiconductor substrate 7 is applied with the ground potential. - 特許庁
半導体素子の熱を効率よく外部に放熱し、また半導体素子の接地電位を強化および安定化させて高周波信号の伝送特性を向上させて、半導体素子を長期に亘り正常かつ安定に作動させること。例文帳に追加
To normally and stably operate a semiconductor element for a long time by efficiently radiating the heat of the semiconductor element to the outside and improving transmission characteristics of a high frequency signal by strengthening and stabilizing the ground potential of the semiconductor element. - 特許庁
半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の上に形成された絶縁層と、前記絶縁層の上に形成されたインダクタと、前記インダクタを囲み且つ延伸方向において波形部分が連続するように前記半導体基板に形成されたガードリングと、前記ガードリングに所定電位を供給する電位供給配線とを有する。例文帳に追加
The semiconductor device comprises a semiconductor substrate, an insulating layer formed on the semiconductor substrate, an inductor formed on the insulating layer, a guard ring so formed on the semiconductor substrate as to surround the inductor and to make a wave-shape which continues in the extending direction, and potential supply wiring for supplying a prescribed potential to the guard ring. - 特許庁
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「半波電位」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 26件
本発明の半導体装置は、相変化メモリと、電磁波を交流の電気信号に変換するアンテナと、アンテナから供給される交流の電気信号を基に電源電位を生成し、生成した電源電位を相変化メモリに供給する電源回路を有する。例文帳に追加
The semiconductor device has a phase-change memory, an antenna that converts an electromagnetic wave into an AC electric signal, and a power circuit that generates power potential, based on the AC electric signal provided from the antenna, and provides the generated power potential to the phase-change memory. - 特許庁
本発明の半導体装置は、相変化メモリと、電磁波を交流の電気信号に変換するアンテナと、アンテナから供給される交流の電気信号を基に電源電位を生成し、生成した電源電位を相変化メモリに供給する電源回路を有する。例文帳に追加
The semiconductor device has a phase-change memory, an antenna that converts an electromagnetic wave into an AC electric signal, and a power circuit that generates power potential on the basis of the AC electric signal provided from the antenna, and provides the generated power potential to the phase-change memory. - 特許庁
超音波診断システム等に用いられる送信回路を、小面積で振動子駆動回路部高圧電源の高電位側及び低電位側とも0〜±200V程度まで可変とし、もって複数チャネルの送信回路を集積化した半導体集積回路装置を実現する。例文帳に追加
To provide a semiconductor integrated circuit device in which a transmission circuit with a plurality of channels is integrated by making the transmission circuit to be used for an ultrasonic diagnostic system or the like variable up to 0 to ±200V on both high potential side and low potential side of a high-voltage power supply of a vibrator driving circuit in a small area. - 特許庁
通常動作時に異なる電源系の接地配線等の同電位配線間を伝搬する高周波ノイズを抑制しながら、異電源系の同電位端子間のESDストレスに対しても十分な耐量を有する静電保護回路及びこの静電保護回路を備えた半導体装置を提供する。例文帳に追加
To provide an electrostatic protective circuit which restrains high-frequency noises from being propagated through interconnect lines of the same potential, such as grounding wiring of different power supply systems in a usual operation, and has resistance high enough to withstand even ESD stress imposed between the terminals of the same potential of different power supply systems and also to provide a semiconductor device equipped with the same. - 特許庁
電磁波シールド層は、例えば、メモリセル領域上及び又は下に設けられた導電層或いは半導体層で構成され、好ましくは同じ電位になるよう接続される。例文帳に追加
The electromagnetic wave shielding layer is constituted of, e.g. a conducting layer or a semiconductor layer, which is arranged above and/or below the memory cell region, and preferably is connected to have the same potential. - 特許庁
DCO50と、温度に対して単調な特性を持って変化する電圧源20から得られる電位に応じたDCO50に設定すべき発振周波数の温度係数および発振周波数の絶対値を記憶する記憶部42と、を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。例文帳に追加
The semiconductor integrated circuit device includes a DCO 50 and a storage part 42 that stores a temperature coefficient of an oscillation frequency and an absolute value of the oscillation frequency, which should be set in the DCO 50, corresponding to potential obtained from a voltage source 20 that changes with a monotonic characteristic with respect to temperature. - 特許庁
半導体装置は、動作波形解析の対象となる複数の信号線2、4と、動作波形解析の基準となる基準信号線6とを有し、信号線の一部8と基準信号線の一部10が最上層配線層において互いに電位の干渉を生じる距離に配置されている。例文帳に追加
The semiconductor device has a plurality of signal wires 2, 4 objective to waveform analysis on operation, and a portion of a signal wire 8 and a portion of a reference signal wire 10 are disposed in an area generating potential interference with each other in an uppermost wiring layer. - 特許庁
上記課題は、半導体集積回路であって、所定処理を実行する回路と、電源インピーダンスを切り換える切換回路と、前記切替回路は、前記回路に印加される電位の変動に応じて、前記半導体集積回路の共振周波数が前記回路の動作周波数から離れるように前記電源インピーダンスを切り替える半導体集積回路により達成される。例文帳に追加
The semiconductor integrated circuit includes: a circuit that executes a predetermined process and a switching circuit that selects a power impedance, The switching circuit selects the power impedance, in accordance with a variation in voltage supplied to the circuit, so that a resonant frequency of the semiconductor integrated circuit is different from an operation frequency of the circuit. - 特許庁
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