全吸収係数の英語

窒化物半導体単結晶基板は、ＡｌＮの組成と、１×１０^17ｃｍ^-3以下の全不純物密度と、３５０〜７８０ｎｍの全波長範囲における５０ｃｍ^-1以下の吸収係数とを有することを特徴としている。例文帳に追加

The nitride semiconductor single crystal substrate has a composition of AlN, a total impurity density of not more than 1×10^17 cm^-3, and an absorption coefficient of not more than 50 cm^-1 in the full wavelength range from 350 to 780 nm. - 特許庁

プラズモン励起、一電子励起、フォノン散乱を含む全吸収係数についての計算は、いろいろな結晶構造に対して、Radi (1970)、およびHumphreysとHirsch (1968)の論文に与えられている。例文帳に追加

Calculations for total absorption coefficients, including plasmon excitation, single electron excitation, and phonon scattering, are given in the papers of Radi (1970) and Humphreys and Hirsch (1968) for a range of crystal structures. 発音を聞く  - 科学技術論文動詞集

脆性材料のレーザビームに対する吸収係数の制御を照射レーザビームの波長を変えて行い、熱応力起因のスクライブ面を材料の全厚みで発生させる。例文帳に追加

The laser beam absorption coefficient of the brittle material is controlled by changing the wavelength of irradiation laser beams, and a scribe surface caused by the thermal stress is generated in the entire thickness of the material. - 特許庁

測定した第１〜第３の赤外吸収線ピークと、あらかじめ求めた第１〜第３の換算係数を用いて、任意のウエハの全体の窒素濃度を算出する。例文帳に追加

The nitrogen concentration in the whole of the optional wafer is calculated using the measured first-third infrared absorption line peaks and the first-third predetermined conversion factors. - 特許庁

脆性材料のレーザビームに対する吸収係数を制御し、同ビームが材料の全厚さを透過するか、あるいは裏面まで透過しなくとも十分な深さまで透過し、熱応力起因のスクライブ面を材料の全厚みで発生させる。例文帳に追加

By making the beam pass through the entire thickness of the material or making the beam reach sufficient depth without reaching the rear face by controlling absorption coefficient of the brittle material to the laser beam, a scribed face due to thermal stress is generated in the entire thickness. - 特許庁

脆性材料のレーザビームに対する吸収係数を制御し、同ビームが材料の全厚さを透過するか、あるいは裏面まで透過しなくとも十分な深さまで透過し、熱応力起因のスクライブ面を材料の全厚みで発生させる。例文帳に追加

An absorption coefficient to a laser beam for the brittle material is controlled and the laser beam is penetrated through the overall thickness of the material or penetrated to a sufficient depth even if not penetrated to a back face and then a scribing face occurs with the thermal stress through the overall thickness of the material. - 特許庁

脆性材料のレーザビームに対する吸収係数を制御して、同ビームが材料の全厚さを透過するか、あるいは裏面まで透過しなくとも十分な深さまで透過し、熱応力起因のスクライブ面を材料の全厚みで発生させる。例文帳に追加

A scribe surface caused by the thermal stress is produced through the whole thickness of the material by controlling the absorption coefficient of the brittle material to the laser beam to transmit the beam extending to the whole thickness of the material or extending to the sufficient thickness even if the laser does not transmit up to the back surface. - 特許庁

アルミニウムは鉛よりも吸収係数がはるかに小さいので、鉛層１２が入射するγ線等を完全に遮蔽するのに十分な幅を持っていたとしても、同じ長さを持つアルミニウム層１４ではγ線等が完全には遮蔽されない。例文帳に追加

Since aluminum has a much smaller absorption coefficient than lead, the aluminum layer 14 having the same length cannot shield γ rays, or the like completely even if the lead layer 12 has a sufficient width for shielding incident γ rays, or the like completely. - 特許庁