光励起キャリアの英語

この構造によりキャリア閉込層Ｃ_1〜Ｃ_3に電子が光励起されるとｎ層からｐ層へ量子波干渉層を波動で伝搬し、光電流が高速に流れる。例文帳に追加

Due to this structure, when electrons are excited by light in the carrier confinement layers C1-C3, the quantum wave interference layers are propagated by waves from an (n) layer to a (p) layer, to allow a photoelectric current to flow at high speeds. - 特許庁

ＣＰＭ測定の際、ワイドバンドギャップ半導体などの光応答性の低い試料に光を照射することで生成される光励起キャリアを、試料に設けられた測定用の２電極に加えて設けられた第３の電極に正のバイアス電圧を印加することにより瞬時に追い出す。例文帳に追加

During CPM measurement, a photoexcited carrier generated by irradiating with light a sample having low optical responsivity, such as a wide-bandgap semiconductor is instantaneously excluded by applying positive bias voltage to a third electrode provided in the sample in addition to a second electrode for measurement. - 特許庁

円偏光の照射で励起したスピン偏極キャリアとの相互作用で、磁気分極が一方向に整列し、反対方向の円偏光の照射で、一方向に整列した磁気分極が、反対方向に反転、整列する磁気光学的特性を有することを特徴とする円偏光励起磁性半導体。例文帳に追加

A magnetic semiconductor that is excited by circularly polarized light has the following magnetooptical characteristics: its magnetic polarization is aligned in one direction by the interaction with spin polarized carriers excited by the irradiation of circularly polarized light; and the magnetic polarization is reversely rotated and aligned by the irradiation of the circularly polarized light in an opposite direction. - 特許庁

光励起によって光電流に係るキャリアを発生するＧａＮ系結晶層を光検出層１として、受光対象光Ｌが入射する側には、ＧａＮ系結晶からなりオーミック電極を形成し得るコンタクト層３を介して、入射側電極Ｐ１をオーミック電極として設ける。例文帳に追加

With a GaN crystal layer, which generates a carrier related to an optical current under optical excitation as an optical detection layer 1, an incident side electrode P1 is provided as an ohmic electrode on the side irradiated with a light L which is received through a contact layer 3 composed of GaN crystal and capable of forming an ohmic electrode. - 特許庁

プローブ３は半導体レーザ９から振動に共振したレーザー光が導入されると、その先端の微小開口からエバネッセント場が発生して、試料４とプローブ３との近接場相互作用により試料１４に少数キャリアを励起させ、半導体評価装置１は、当該光励起電流の変化を検出して、試料１４の評価を行っている。例文帳に追加

In the probe 3, with the introduction of laser beam resonant with vibration from a semiconductor laser 9, an evernescent field is produced from a minute opening at its tip end and the proximity field interaction between the sample 14 and the probe 3 excites a minor carrier at the sample 14, then the semiconductor evaluating device 1 detects changes in optical excitation current for the evaluation of the sample 14. - 特許庁

第１の極性を有する半導体基板上に形成されたセンサー群は、少なくとも２つの垂直積層センサーで、センサーの各々は、異なるスペクトル感度を持ち、フォトダイオードとして機能するためにバイアスすることが可能であり、また第２の極性を持つ半導体材料のキャリア収集層を含み、フォトダイオードとして機能するためにバイアスされる時第２の極性の光励起キャリアを収集するように作られることを特徴とする。例文帳に追加

In a sensor group formed on a semiconductor substrate having first polarity, at least two vertically laminated sensors each include different spectral sensitivity, can be biased to function as a photo diode, include a carrier collection layer of a semiconducting material having second polarity, and are formed so as to collect a photoexcited carrier having the second polarity when biased to function as the photo diode. - 特許庁