低雑音トランジスタの英語

クロスカップルＭＯＳトランジスタ回路において回路サイズを小さくすることができ消費電力を小さくし発生する雑音量を低減できる。例文帳に追加

To reduce the circuit size, the power consumption, and the noise amount in a cross-coupled MOS transistor circuit. - 特許庁

より少ないトランジスタおよび制御ラインを備え、低雑音リセット動作を実施するピクセルセンサを提供すること。例文帳に追加

To provide a pixel sensor that is equipped with the small number of transistors and control lines and implements a low-noise reset operation. - 特許庁

Ａ級からＣ級への動作状態の遷移によって、電界効果トランジスタＴ２の電源は落ちなくても、電界効果トランジスタＴ２の増幅機能を著しく低下させるとによって、高周波増幅器１０３からの雑音出力を遮断することができる。例文帳に追加

By the transition of the operation state from class A to class C, the amplification function of the field-effect transistor T2 is remarkably reduced even if the power of the field-effect transistor T2 does not drop, whereby noise output from the high-frequency amplifier 103 can be blocked. - 特許庁

発振回路の発振用トランジスタのコレクタ電流を低電流化しても安定した発振特性が得られると共に、接地ラインや電源ラインに雑音が重畳しても悪影響を受けないトランジスタ圧電発振器を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a transistor piezoelectric oscillator which is capable of obtaining a stable oscillation characteristics even when a collector current of a transistor for oscillation of an oscillation circuit is reduced, and is not adversely affected even if noise is superimposed on a ground line or a power supply line. - 特許庁

プロセスばらつきを低減するダミートランジスタの高周波における利得および雑音指数の劣化を抑制しつつ、リーク電流を低減し低消費電力化することが可能な半導体装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor device which is reducible in power consumption by reducing a leak current while suppressing high-frequency deteriorations in gain and noise factor of a dummy transistor reducing process variance. - 特許庁

光電変換部に蓄積された信号電荷を低電圧駆動の読み出しトランジスタにより完全読み出しすることができ、感度の向上及び雑音の低減をはかる。例文帳に追加

To completely read out a signal charge stored in the photoelectric conversion part of a solid-state image pickup device with a low voltage-drive readout transistor and to aim at enhancement of the sensitivity of the device and noise reduction in the device. - 特許庁

低雑音増幅回路１１は低雑音を実現すべく、高周波用の整合回路ＭＣ１、コイルＬ１、及びバイアス部（抵抗Ｒ１１を介してバイアス電圧Ｂias１をＮＭＯＳトランジスタＭ１のゲートに付与する部分）を設けている。例文帳に追加

For lower noise, the low-noise amplifying circuit 11 is provided with a matching circuit MC1 for high frequency, a coil L1, and a bias part (a part for applying a bias voltage Bias1 to the gate of the NMOS transistor M1 through a resistance R11). - 特許庁

このことによって、発振振幅拡大時に、発振トランジスタ１ａ、１ｂが線形領域で動作するのを防ぐことができるので、低位相雑音の電圧制御発振器を実現できる。例文帳に追加

Since the oscillation transistors 1a, 1b can be prevented from operating in a linear region when expanding the oscillation amplitude, a low phase noise voltage controlled oscillator can be realized. - 特許庁