以子井の英語

光吸収層４は、ｎ型を与える不純物を有する第１の井戸層８と、この第１の井戸層８に接して形成された障壁層９と、この障壁層９に接して形成された第２の井戸層１０と、からなる、量子井戸対を、少なくとも一以上有する多重量子井戸構造である。例文帳に追加

A light absorbing layer 4 has a multiplex quantization well structure having at least one or more of quantization well pairs consisting of a first well layer 8 having impurity imparting an (n) type, a barrier layer 9 formed being in contact with the first well layer 8 and a second well layer 10 formed being in contact with the barrier layer. - 特許庁

それ以来，一人息子の佑(ゆう)司(じ)(武(たけ)井(い)証(あかし))と何とか平和に暮らしてきた。例文帳に追加

He has lived with his only son Yuji (Takei Akashi) fairly peacefully since then.発音を聞く  - 浜島書店 Catch a Wave

量子井戸構造は、ＩｎＧａＡｓ又はＧａＩｎＮＡｓからなる井戸層を有し、井戸層の酸素濃度が５×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下である。例文帳に追加

The quantum well structure has the well layer consisting of InGaAs or GaInNAs, wherein an oxygen concentration of the well layer is no more than 5×10^16 atoms/cm^3. - 特許庁

ＩｎＰ基板１３上に有機金属気相成長法で形成され、該ＩｎＰ基板１３の格子定数に対して２％以上大きい格子定数を有する量子井戸層１０を含む量子井戸構造において、前記量子井戸層１０は、成長温度が４４０℃以上５１０℃以下、かつ、成長速度が１．５μｍ／時以上で形成した。例文帳に追加

In the quantum well structure formed by an organic metal vapor growth method on an InP substrate 13 and containing a quantum well layer 10 having a grating constant larger by 2% or more than a grating constant of the InP substrate 13, the quantum well layer 10 is formed at a growth temperature of 440 to 510°C and at a growth rate of 1.5 μm/hour or larger. - 特許庁

半導体発光素子１では、量子井戸層の総膜厚を臨界膜厚よりも大きい範囲とし、かつ量子井戸層の格子不整合を１．０％以上２．５％未満としている。例文帳に追加

In the semiconductor light-emitting element 1, the total film thickness of a quantum well layer has a range wider than that of a critical film thickness, and the lattice mismatch of the quantum well layer is 1.0-2.5%. - 特許庁

キャリア閉込層の伝導帯下端のエネルギ準位と、量子井戸層内の電子の基底準位との差が１００ｍｅＶ以上になるように、量子井戸層とキャリア閉込層の材料、及び量子井戸層の厚さが選択されている。例文帳に追加

The materials for the quantum well layer and for the carrier confinement layers and the thickness of the quantum well layer are selected so that the difference between the energy level at the carrier confinement layer conduction band lower edge and the ground level of electrons in the quantum well layer is 100 meV or higher. - 特許庁

そして、二つのＩｎＧａＡｓ量子井戸層５Ａ、５Ｂの発光ピーク波長の差が５０ｎｍ以上で且つ１２０ｎｍ以下となっている。例文帳に追加

Two InGaAs quantum well layers 5A and 5B are different in light-emitting peak wavelengths from each other by 50 nm or more to 120 nm or less. - 特許庁

井戸層の厚みを２．５ｎｍ以上にすることによって、発光波長４４０ｎｍ以上の発光素子を作製することができる。例文帳に追加

A light emitting element having an emission wavelength of 440 nm or higher can be fabricated by controlling the thickness of the well layer to 2.5 nm or higher. - 特許庁