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付与された平均エネルギーの英語
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本発明では、非晶質半導体薄膜を基板あるいは絶縁膜上に堆積するにあたり、特に、その膜を構成する主元素からなる非晶質膜の平均原子間隔分布が、単結晶の平均原子間隔分布にほぼ一致するように形成し、これに再結晶化エネルギーを付与し固相成長を行い単結晶半導体薄膜3を形成する。例文帳に追加
A recrystallization energy is applied to the amorphous film to form a single crystal semiconductor film 3 with solid phase growth. - 特許庁
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