不純物拡散の英語

不純物原子の拡散方法および拡散装置例文帳に追加

DIFFUSION METHOD AND DIFFUSION DEVICE OF IMPURITY ATOMS - 特許庁

第２不純物拡散層206-12内の不純物の濃度勾配は、第１不純物拡散層206-10内の不純物の濃度勾配と等しい。例文帳に追加

The concentration gradient of the impurity in the second impurity diffusion layer 206-12 equals the concentration gradient of the impurity in the first impurity diffusion layer 206-10. - 特許庁

Ｎ^−型不純物拡散領域２１の不純物濃度はＮ^＋型不純物拡散層２２の不純物濃度よりも低い。例文帳に追加

Impurity concentration of the n^--type impurity diffusing region 21 is lower than that of the n^+-type impurity diffusing layer 22. - 特許庁

固体不純物源からの半導体基板への不純物拡散方法例文帳に追加

METHOD FOR DIFFUSING DOPANT INTO SEMICONDUCTOR SUBSTRATE FROM SOLID DOPANT SOURCE - 特許庁

不純物拡散領域４１の不純物濃度は、ドレイン領域３５の不純物濃度よりも高い。例文帳に追加

The impurity concentration of the impurity diffusion area 41 is higher than the impurity concentration of the drain area 35. - 特許庁

不純物拡散シミュレーション方法、不純物拡散シミュレーション装置、及び、不純物拡散シミュレーションプログラム例文帳に追加

METHOD, DEVICE, AND PROGRAM FOR IMPURITY DIFFUSION SIMULATION - 特許庁

不純物固体拡散源２Ａ，２Ｂの直下に不純物拡散層３Ａ，３Ｂが形成される。例文帳に追加

Directly under the solid impurity diffusing sources 2A and 2B, impurity diffusing layers 3A and 3B are formed. - 特許庁

拡散バッチ内における固体不純物源から半導体基板への不純物拡散の均等化を図る。例文帳に追加

To uniformly diffuse impurities to a semiconductor substrate from a solid impurity source in a diffusion batch. - 特許庁