不純物型発光体の英語

ＧａＮを主成分とする発光装置において、ｐ型のＧａＮを主成分とする化合物半導体中の不純物のドーピングレベルを高くし移動度を大きくする。例文帳に追加

To increase the doping level of impurity in a compound semiconductor in which p-type GaN is a main component and enhance the mobility in a light- emitting device in which GaN is a main component. - 特許庁

下地層の結晶性や不純物の混入に起因する、ｎ型半導体層、発光層およびｐ型半導体層の結晶性低下を防ぎ、かつ、高い出力の得られる半導体発光素子およびその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor light-emitting element and a manufacturing method of the same which prevent decrease in crystallinity of an n-type semiconductor layer, a light-emitting layer and a p-type semiconductor layer due to crystallinity of a ground layer or contamination of impurities and enable a high output power to be gained. - 特許庁

ｐ型コンタクト層が、互いに積層された、２種類以上の互いに異なるｐ型不純物がそれぞれドープされた２層以上の層からなる場合に、これらのｐ型不純物の相互拡散を防止することによって、ｐ側電極のコンタクト抵抗の上昇を抑制することができるとともに、発光効率の低下をより効果的に防止することができ、発光特性および電気的特性が良好で、かつ、信頼性の高い半導体発光素子を提供する。例文帳に追加

To provide a reliable semiconductor light emitting element which can suppress an increase in the contact resistance of a p-side electrode and can more effectively prevent reduction of a luminous efficiency with good luminous and electrical characteristics, by preventing interdiffusion of two or more different p type impurities when a p type contact layer is made up of two or more laminated layers doped with the two or more different p type impurities respectively. - 特許庁

シェル内不純物濃度、コア／シェル間の格子不整合等の観点からコア／シェル型半導体ナノ粒子を改善することにより、ブリンキング現象を抑制し、発光強度を向上させたコア／シェル型半導体ナノ粒子とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a core-shell-type semiconductor nanoparticle that exhibits a suppressed blinking phenomenon and enhanced luminous intensity by improving a core-shell-type semiconductor nanoparticle from the viewpoint of an impurity concentration in a shell, core/shell lattice mismatch and the like, and to provide a manufacturing method of the nanoparticle. - 特許庁

ＺｎＳｅ基板１に形成され、活性層４を２つのクラッド層３，５で挟む発光素子１０であって、上記の２つのクラッド層のうち、一方のクラッド層はｐ型不純物が導入されたｐ型半導体５であり、他方のクラッド層がアンドープ半導体で３ある。例文帳に追加

A light-emitting device 10, which is formed on a ZnSe substrate 1 and whose two cladding layers 3 and 5 interpose an active layer 4, and one of the two cladding layers is a p-type semiconductor 5 where a p-type impurity is introduced, and the other cladding layer is an undoped semiconductor 3. - 特許庁

このＩＩＩ族窒化物系半導体発光素子においては、上部クラッド層１８は、活性化率が相対的に他の領域の一部よりも低くなる所定領域へのｐ型不純物の添加量を、他の領域の一部よりも抑制している。例文帳に追加

In the group III nitride-based semiconductor light-emitting device, an upper cladding layer 18 suppresses the amount of addition of p-type impurities to a prescribed region in which activation rate becomes relatively lower than that at one portion of the other region. - 特許庁

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、歪にて生じた転位の活性層への影響の低減及び転位を介したＰ型不純物のＭｇ（マグネシウム）の活性層への拡散の低減し、発光効率及び信頼性を向上させた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子とその製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a gallium nitride compound semiconductor light emitting element and its manufacturing method by which the influence on a transition active layer caused from distortion can be reduce, diffusion of magnesium as a P-type impurity Mg into the active layer by means of transition to be reduced, and the light emission efficiency and reliability be improved. - 特許庁

窒化物半導体発光素子のｐ型半導体層において、ｐ型クラッド層６の成長時の水素濃度を小さくして、ｐ型不純物の活性化率を高め、ｐ型コンタクト層７の成長時の水素濃度を大きくして、結晶性を回復することで、ｐ型半導体層における電気的特性と結晶性の調和を総合的に図る。例文帳に追加

In the p-type layer of a nitride semiconductor light emitting element, activation rate of p-type impurities is increased by decreasing hydrogen concentration during growth of a p-type clad layer 6, and crystallinity is recovered by increasing hydrogen concentration during growth of a p-type contact layer 7, thus balancing the electrical characteristics and crystallinity of the p-type layer totally. - 特許庁