モロガの英語

Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを０．２８≦Ｚｎ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）≦０．３８、０．１８≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｚｎ＋Ｇａ）≦０．２８の原子比で含む酸化物であって、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）で表されるホモロガス結晶構造を有する化合物を主成分とする酸化物からなる焼結体。例文帳に追加

The sintered compact consists of an oxide which contains In, Ga and Zn in atomic ratios of 0.28≤Zn/(In+Zn+Ga)≤0.38, 0.18≤Ga/(In+Zn+Ga)≤0.28 and makes a compound having a homologous crystal structure expressed with InGaO_3(ZnO) a principal component. - 特許庁

(In_2O_3)(ZnO)_m、m≧1のホモロガス構造を有し、これにTa、Yの何れか１種又は２種の元素の酸化物を含有する材料から成ることを特徴とするスパッタリングターゲット。例文帳に追加

In another embodiment the sputtering target composed of a material which has a homologous structure of (In_2O_3)(ZnO)_m, m≥1 and contains the oxide(s) of one or two kinds of elements selected from Ta and Y. - 特許庁

インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）及び亜鉛（Ｚｎ）の酸化物を含有するスパッタリングターゲットであって、ＩｎＧａＯ_３（ＺｎＯ）_ｍ（ｍは１〜２０の整数）で表されるホモロガス構造化合物及びＺｎＧａ_２Ｏ_４で表されるスピネル構造化合物を含むスパッタリングターゲット。例文帳に追加

The sputtering target contains an oxide of indium (In), gallium (Ga) and zinc (Zn), and contains a homologous structured compound expressed as InGaO_3 (ZnO)_m (where m represents an integer of 1-20), and a spinel structured compound expressed as ZnGa_2O_4. - 特許庁

表面平滑性と低抵抗性に優れたＺｎ_ｋＩｎ_２Ｏ_ｋ＋３（ｋは１〜４の整数。）で表される非晶質のホモロガス化合物からなる酸化亜鉛−酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法を提供すること。例文帳に追加

To provide a zinc oxide-indium oxide transparent conductive film which is excellent in surface smoothness and low resistance properties and comprises an amorphous homologous compound represented by Zn_kIn_2O_k+3 (wherein k is an integer of 1-4), and to provide its production method. - 特許庁

活性層としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系ホモロガス酸化物半導体を用い、エッチングストッパー層を形成することなく活性層のダメージを抑制するとともに、ソース・ドレイン電極の低抵抗化を図ることが可能な薄膜トランジスタの製造方法及び電気光学装置の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a thin film transistor, wherein an In-Ga-Zn-O group homologous oxide semiconductor is used as an active layer, damage in the active layer is suppressed without forming an etching stopper layer, and resistance of source-drain electrodes can be reduced; and to provide a method for manufacturing an electro-optical device. - 特許庁