モット絶縁体の英語

一次元モット絶縁体、一次元モット絶縁体薄膜及びそれらの製造方法例文帳に追加

ONE-DIMENSIONAL MOTT INSULATOR, ONE-DIMENSIONAL MOTT INSULATOR THIN FILM, AND MANUFACTURING METHOD THEREOF - 特許庁

開示されている半導体記憶装置は、浮遊ゲート６に一部分が接すると共に他部分がＰ型シリコン基板１に接するようにモット絶縁体７を設け、このモット絶縁体７に金属−絶縁相転移を生じさせる。例文帳に追加

Metal-insulator phase transition is caused in the insulator 7. - 特許庁

有機モット絶縁体となる原料を用い、電極の形状や印加電圧を所定の条件とした電解法により、有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤーを製造する。例文帳に追加

Using a raw material to obtain an organic Mott insulator, a non-conductive nanowire 24, the organic Mott insulator, is manufactured by an electrolytic method under prescribed conditions of an electrode shape and an applied voltage. - 特許庁

有機モット絶縁体である非導電性ナノワイヤー、製造方法及びそれを用いたトランジスタを提供する。例文帳に追加

To provide a nonconductive nanowire which is an organic Mott insulator, and to provide a method for manufacturing the nanowire, and a transistor using the nanowire. - 特許庁

また、抵抗層の中心層は、電圧によって金属−絶縁体転移（モット転移）が誘起され、抵抗が大きく変化する。例文帳に追加

Moreover, in the main layer of the resistance layer a metal to insulator transition (Mott transition) is induced by voltage, and the resistance is changed by a large amount. - 特許庁

絶縁体もしくは半導体を含む第一固体材料層３と該第一固体材料層３とは異なる型の絶縁体もしくは半導体を含む第二固体材料層５とのｐ−ｎ接合構造において、少なくとも一方の層の固体材料にモット絶縁体またはモット半導体を用いた太陽電池１。例文帳に追加

In a p-n junction structure of a first solid material layer 3 having a insulator or a semiconductor and a second solid material layer 5 having a insulator or a semiconductor of a different type from the first solid material layer 3, there is provided a solar cell 1 using a Mott insulator or a Mott semiconductor as a solid material for at least one of the layers. - 特許庁

モット絶縁体であるペロブスカイト型酸化物の絶縁体相−金属相間の相転移を容易に誘起することができるペロブスカイト型酸化物の相転移誘起方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method of inducing a phase transition of perovskite-type oxide for easily inducing a phase transition between an insulator phase and a metal phase of perovskite-type oxide which is a Mott insulator. - 特許庁