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ベース接地電流増幅率の英語
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英訳・英語 common base current amplification factor
「ベース接地電流増幅率」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 3件
トランジスタQ1,Q2のベース電圧が基準電圧V_refに等しくなるように動作し、トランジスタQ1,Q2のベースの入力インピーダンスは、トランジスタQ2のエミッタ接地電流増幅率と定電流源3-2の電流値を適切に設定することにより高くすることができる。例文帳に追加
An operation is performed so as to make the base voltage of the transistors Q1 and Q2 be equal to the reference voltage V_ref, and the input impedance of the base of the transistors Q1 and Q2 is increased by appropriately setting the emitter ground current amplification factor of the transistor Q2 and the current value of the constant current source 3-2. - 特許庁
そして、第1N型導電領域2をコレクタとし、第3P型導電領域12、第4P型導電領域13及び基板導電領域1をベースとし、第2N型導電領域3をエミッタとする第1のトランジスタのベース接地電流増幅率α_1を増大させる構成とした。例文帳に追加
In addition, it is constituted so that a common base current amplification factor α_1 of a first transistor, where a first N type conductive region 2 is a collector, and the third P type conductive region 12 and the fourth P type conductive region 13 and a substrate conductive region 1 are a base, and a second N type conductive region 3 is an emitter. - 特許庁
そして、第1N型導電領域2をコレクタとし、第2P型導電領域25及び基板導電領域1をベースとし、第2N型導電領域11,12,13,14,15,16をエミッタとするトランジスタのベース接地電流増幅率α_1を増大させる構成とした。例文帳に追加
Thereafter, the amplification factor α_1 of the base grounding current of a transistor using the first N-type conductive region 2 as its collector, the second P-type conductive region 25 and the conductive region 1 of the substrate 100 as its base, and the second N-type conductive regions 11, 12, 13, 14, 15, and 16 as its emitter is increased. - 特許庁
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common base current amplification factor
JST科学技術用語日英対訳辞書
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