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プログラミング基準の英語
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「プログラミング基準」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 20件
したがって、プログラミング基準信号への読出し基準信号の依存性によりプログラミングマージンが確保されるとともに、プログラミング処理中にその記憶状態を読み出さずにメモリセルのプログラミングが行なえる。例文帳に追加
Thus, programming margin is secured, by the dependence of the read-out reference signals on the programming reference signals, while programming of the memory cell can be performed, without reading out its memory states during programming process. - 特許庁
読出し基準信号は、メモリセルのプログラミング制御に用いられるプログラミング基準信号のレベルによって異なる。例文帳に追加
The read-out reference signal may be dependent on the levels of programming reference signals used for controlling programming of the memory cell. - 特許庁
NROMアレイの基準セルのプログラミングおよび消去方法例文帳に追加
PROGRAMMING AND ERASING METHOD FOR NROM ARRAY - 特許庁
本方法は、前記第1基準セルを、前記コアセルのデータビット“1”分布にて中央にある第1電圧閾値レベルにプログラミングするステップ、及び前記第2基準セルを、前記コアセルのデータビット“0”分布にて中央にある第2電圧閾値レベルにプログラミングするステップより成る。例文帳に追加
The method includes the steps of programming the first reference cell to a first voltage threshold level that is centered within a data bit '1' distribution of the core cells, and programming the second reference cell to a second voltage threshold level that is centered within a data bit '0' distribution of the core cells. - 特許庁
プログラム回路102は、第1のプログラミングモードに後続して、第2のプログラミングモードで動作し、第1の基準電圧よりも高い第2の基準電圧よりも低いしきい値を有する記憶素子に、そのしきい値が第2の基準電圧以上となるまで、第1のプログラミングモード動作した際の最終書込みパルスの書込み能力と同じか又はそれよりも低い書込み能力を有する書込みパルスを印加する。例文帳に追加
The programming circuit 102 operates in the 2nd programming mode following the 1st programming mode, and applies the writing pulses having the writing capabilities equal to the last writing pulses used in the 1st programming mode or smaller to the memory elements having the thresholds lower than the 2nd reference voltage which is higher than the 1st reference voltage, until the thresholds become equal to the 2nd reference voltage or higher. - 特許庁
また、タスクT1〜T5は、並行処理ステップMの総実行所要時間が前記基準時間内に納まるように予めプログラミングされているので、基準時間サイクルS毎に必ず一回CPU1の使用割り当てを得ることになる。例文帳に追加
The tasks T1 to T5 are programmed so as to contain the total execution requiring time of a concurrent processing step M within the reference time, so that CPU1 assignment can be certainly obtained once every reference time cycle. - 特許庁
1つの好ましい実施形態では、基準セルプログラミングプロセス中に使用されるメモリセルは、最高固有閾値を有するメモリアレイのセルである。例文帳に追加
In a preferable embodiment, a memory cell used in a reference cell programming process is a cell of a memory array having the highest intrinsic threshold value. - 特許庁
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「プログラミング基準」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 20件
他の好ましい実施形態では、基準セルプログラミングプロセス中に使用されるメモリセルは、メモリアレイを含むダイ上に搭載されている固有セルであるが、メモリアレイ内のセルではない。例文帳に追加
In other preferable embodiment, a memory cell used in the reference cell programming process is an intrinsic cell incorporated in a die comprising a memory cell array, but it is not a cell in the memory cell array. - 特許庁
製品の耐久性の低下、電荷損失の増大および歩留りの低下を改善する、NROMアレイの基準セルのプログラミングおよび消去方法を提供する。例文帳に追加
To provide a programming and erasing method for a reference cell of a NROM array, which improve reduction of durability of a product, increase in loss of electric charges, and reduction of yield. - 特許庁
本発明は、複数ビットの電気的可変不揮発メモリセルの記憶状態分界およびプログラミング基準信号に関して新規な装置および方法を提供するものである。例文帳に追加
To provide an apparatus and a method for demarcating memory states of an electrically alterable and non-volatile multi-bit memory cell and a new device, and to provide a method about a programming reference signal. - 特許庁
基準セルは、所定量プログラムされ、そのプログラム状態は、同じダイ上の所定のセル(例えば、メモリセルまたは黄金ビットセル)に関して検出され、基準セルが予め選択された読出し動作に失敗するまでプログラミングプロセスが継続する。例文帳に追加
A reference cell is programmed by prescribed quantity, its programming state is detected relating to the prescribed cell (e.g. memory cell or gold bit cell) on the same die, programming process us continued until the reference cell fails in read operation being previously selected. - 特許庁
温度やシステム電圧などの条件の変化に伴って起きるメモリセルの動作特性の変動を追跡する基準セルによって、両方の基準信号の組を発生することにより、メモリプログラミングおよび読出しの信頼性が向上する。例文帳に追加
Reliability of memory programming and read-out is improved, by generating both sets of reference signals by the reference cell tracking vibrations in an operating characteristics of the memory cell with changes in conditions, such as temperature, system voltages. - 特許庁
本発明は、プログラミング動作の間、ビットライン電圧を基準電圧と比較する方法や、セル抵抗をセット状態のセル抵抗と比較する方法によってメモリ素子の状態をモニタリングすることにより、セットパルス幅を制御する。例文帳に追加
This method controls set pulse width by monitoring the status of a memory component with a method for comparing a bit line voltage with a reference voltage during a programming action and the method for comparing the cell resistance with the cell resistance of the set status. - 特許庁
ドラッグ済ソースがPOU(プログラミングオーガニゼーションユニット)である場合、ドラッグ済ソースは、ソースPOUタイプ、現在編集中のPOUタイプならびに繰り返しコールの禁止基準に応じてIEC61131シンタックスプログラム部分に任意に変換される。例文帳に追加
When the dragged source is a POU (Programming Organization Unit), the dragged source is optionally converted into an IEC61131-syntax program portion according to the source POU type, the currently-edited POU type and criterion of forbidding recursion call. - 特許庁
基地局の無線リソースの制御、物理層のプログラミング、「レベル2」保護、および基地局の制御下にあるチャネルの基準クロックの同期制御という問題を解決する、通信ネットワーク内資源を制御装置を提供する。例文帳に追加
To provide a device for controlling resources in a communication network for solving problems such as control of radio resources of a base station, programming of a physical layer, "level 2" protection and synchronization control of a reference clock of a channel under control of the base station. - 特許庁
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