フラッシュ温度の英語

フラッシュのＬＥＤ１６Ａ近傍に温度を検出する温度センサ６０を設け、温度検出結果をＣＰＵ４０に入力する。例文帳に追加

A temperature sensor 60 which detects temperature is provided nearby LEDs 16A of an electronic flash and its temperature detection result is input to a CPU 40. - 特許庁

そして、半導体ウエハーＷの表面温度が予備加熱温度Ｔ１となった直後に、キセノンフラッシュランプ６９が点灯し、フラッシュ加熱が行われる。例文帳に追加

Immediately after the surface temperature of the semiconductor wafer W reaches a preheating temperature T1, a xenon flash lamp 69 turns on and flash heating is performed. - 特許庁

所要の基準出力値をフラッシュメモリ２９に予め記憶し、基準出力値に対応する基準温度を温度センサ２８によって測定してフラッシュメモリ２９に予め記憶する。例文帳に追加

A flash memory 29 stores in advance a required reference output value, a temperature sensor 28 measures a reference temperature corresponding to the reference output value, and the flash memory 29 stores the temperature in advance. - 特許庁

所要の基準出力レベルをフラッシュメモリ２９に予め記憶し、各基準出力レベルに対応した基準温度を予め温度センサ２８によって測定してフラッシュメモリ２９に記憶する。例文帳に追加

A flash memory 29 stores a required reference output level in advance, and a temperature sensor 28 measures in advance a reference temperature corresponding to each reference output level and stores the result to the flash memory 29. - 特許庁

一対の被溶接部材２ａ，２ｂを溶接する際に、フラッシュ工程時の印加電圧変化からフラッシュ発生回数を測定し、測定したフラッシュ発生回数から高温部材の温度を判別し、判別した高温部材温度に基づいて周波数、２次電圧、フラッシュ量、アプセット量等の溶接条件を変更する。例文帳に追加

The number of flash generation is measured by the variation in the applied voltage in the flash process when a pair of works to be welded 2a and 2b are welded, the temperature of a high temperature member is discriminated by the measured number of flash generation, and such welding conditions as frequency, secondary voltage, flash quantity and upset quantity are varied based on the discriminated temperature of the high temperature member. - 特許庁

半導体ウェハーの表面温度が低下する前に２回目のフラッシュ光照射を行うこととなるため、２回目のフラッシュ光照射で消費できるエネルギーが少なかったとしても、各回のフラッシュ光照射による半導体ウェハーの表面の加熱効率を向上させることができる。例文帳に追加

Since the flash light irradiation of the second time is performed before the surface temperature of the semiconductor wafer declines, even when energy that can be consumed in the flash light irradiation of the second time is little, the heating efficiency of the surface of the semiconductor wafer by the flash light irradiation of each time is improved. - 特許庁

このため、フラッシュランプＦＬのガラス管内部が高温のプラズマに曝されたとしても、フラッシュランプＦＬの全体は冷却液によって冷却されるために温度上昇が抑制され、その結果フラッシュランプＦＬの寿命を飛躍的に延ばすことができる。例文帳に追加

For this reason, even if the interior of glass tube of the flash lamp FL is exposed to high-temperature plasma, temperature rise is controlled since the total flash lamps FL are cooled by the cooling liquid, as a result enabling the life of the flash lamp FL to be dramatically lengthened. - 特許庁

ｎ回のフラッシュ光照射の後段ほど照射間隔（非照射時間）が短くなり、フラッシュ光照射後に半導体ウェハーの表面温度が低下する前に次のフラッシュ光照射を行うことができるため、各回のフラッシュ光照射による半導体ウェハーの表面の加熱効率を向上させることができる。例文帳に追加

Since an irradiation interval (non-irradiation time) becomes shorter in the latter part of the flash light irradiation of n times and the next flash light irradiation is performed before a surface temperature of the semiconductor wafer declines after the flash light irradiation, the heating efficiency of the surface of the semiconductor wafer by the flash light irradiation of each time is improved. - 特許庁