フニ子の英語

中性子吸収部は、照射成長材１及びハフニウム２から構成される。例文帳に追加

A neutron absorption part is constituted of an irradiation growth material 1 and a hafnium material 2. - 特許庁

原子層吸着堆積法によるハフニウムシリケート薄膜の製造方法例文帳に追加

METHOD FOR MANUFACTURING HAFNIUM SILICATE FILM BY ATOM LAYER ADSORPTION AND DEPOSITION METHOD - 特許庁

また、炭化ハフニウムは融点が非常に高いので、本発明の電子放出源の寿命は長い。例文帳に追加

Since the hafnium carbide has an extremely high melting point, the electron emission source has a long service life. - 特許庁

有機バリウム化合物および有機ハフニウム化合物のバリウム原子およびハフニウム原子に換算した各含有量は、ともに導電性粉末１．００モルに対して０．０５〜１．００モルとし、有機ハフニウム化合物のハフニウム原子に換算した含有量は、有機バリウム化合物のバリウム原子に換算した１．００モルに対して０．９８〜１．０２モルする。例文帳に追加

Each content of the barium compound and the organic hafnium compound in terms of an barium atom and a hafnium atom is 0.05-1.00 mol to 1.00 mol of the conductive powder, and the content of the organic hafnium compound in terms of the hafnium atom is 0.98-1.02 mol to 1.00 mol of the barium compound in terms of the barium atom. - 特許庁

原子炉の制御棒から発生する放射化したハフニウムの長期保管費用を軽減したい。例文帳に追加

To reduce cost required for the long-term storage of activated hafnium generated from a control rod in a nuclear reactor. - 特許庁

このように、本発明によれば、電荷質量比の大きい、活性の高いイオン化されたハフニウム粒子のみが基板に到達するので、基板を加熱しなくてもハフニウム粒子と有機ガスとが反応し、炭化ハフニウムの薄膜が形成される。例文帳に追加

In this way, only ionized hafnium particles having a high charge mass ratio and high activity reach the substrate, so that the hafnium particles and an organic gas are reacted even without heating the substrate, and a thin film of hafnium carbide is deposited. - 特許庁

水酸化ハフニウムと酸および水からなるスラリーを８０℃以上の温度で保持し、好ましくは、ハフニウム１モルに対して０．０１〜２．０グラム当量の酸をスラリー中に含むことにより、平均粒子径が３０〜１００ｎｍである結晶質ハフニアゾルを製造することを特徴とする。例文帳に追加

The crystalline hafnia sol containing particles of an average particle diameter of 30-100 nm is produced by a method comprising retaining a slurry comprising hafnium hydroxide, an acid and water at a temperature of at least 80°C and, preferably, containing 0.01-2.0 g-equivalent amount of the acid, in a slurry, relative to 1 mole of hafnium. - 特許庁

炭化ホウ素７が中性子吸収材充填孔４内に充填され、ハフニウム７が中性子吸収材充填孔５内に充填される。例文帳に追加

Boron carbide 7 fills the neutron absorber packing hole 4, while hafnium 8 is filled within the neutron absorber packing hole 5. - 特許庁