パシベーション法の英語

このような半導体装置の製造方法によれば、極薄のパシベーション膜が半導体装置に形成され、充分な感度且つ強度等を備えた半導体装置の製造が実現可能になる。例文帳に追加

With such a process for fabricating a semiconductor device, an extremely thin passivation film is formed in the semiconductor device and a semiconductor device exhibiting sufficient sensitivity and strength can be fabricated. - 特許庁

パシベーション膜上や保護膜上、ボンディングパッド開口部などのダイシング時の切削屑による不具合をなくすことのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。例文帳に追加

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for eliminating irregularity caused by cutting dusts generated during the dicing of a bonding pad aperture on a passivation film and a protection film. - 特許庁

半導体素子のガラスパシベーション膜厚を増加させることにより、接合処理後の耐圧劣化を抑えた高信頼性の半導体素子の製造方法の提案。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a highly reliable semiconductor element capable of suppressing the deterioration of withstand voltage after bonding processing by increasing the glass passivation film thickness of the semiconductor element. - 特許庁

パッドと半導体装置の製造方法において、パッドの配置密度を向上させると共に、電気的試験で使用されるプローブによってパシベーション膜が欠損するのを防止する手段の提供。例文帳に追加

To provide means for improving the arrangement density of pads and preventing missing of a passivation film, using a probe which is used in electrical testing, in a method of manufacturing a pad and a semiconductor device. - 特許庁

ガラス塗布、仮焼成、ガラス焼成工程からなる一連の工程を連続して２回行なうドクターブレード法を適用することにより、ガラスパシベーション膜の厚さが４０μｍ以上となるようにした半導体素子の製造方法である。例文帳に追加

This method for manufacturing a semiconductor element is provided to apply a doctor blade method for continuously executing a series of processes constituted of glass coating, temporarily firing, and glass firing processes two times so that the thickness of a glass passivation film can be set so as to be 40 μm or more. - 特許庁

パシベージョン膜を備えた電子部品を絶縁層に埋設して実装する電子部品実装構造の製造方法において、パシベーション膜が限定されることなく、電子部品の接続端子と配線パターンとを低コストで信頼性よく電気接続できる方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method in which connecting terminals of an electronic component and wiring patterns are reliably electrically connected with a low cost in a method of manufacturing an electronic-component mounting structure, in which an electronic component furnished with a passivation film is mounted by embedding the electronic component in an insulating layer, wherein the passivation film is not limited to films of specific materials. - 特許庁

シリコンウェーハをマイクロ波光導電減衰法によりライフタイムを測定する方法において、表面再結合を抑制するためにケミカルパシベーション処理し、シリコンウェーハ表面に帯電した電荷を一定状態に維持する。例文帳に追加

In the method of measuring the lifetime of a silicon wafer by a microwave light electric conductive vibration decay method, the electric charge charged on the silicon wafer surface is maintained in the fixed state by performing chemical passivation processing so as to control surface recombination. - 特許庁

半導体素子の製造工程における層間絶縁膜及び／又はパシベーション膜の製造において、大気圧近傍の圧力下で均一なグロー放電プラズマを継続して発生させ、安定してグロー放電プラズマ処理により製造する方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing a semiconductor element through stable glow discharge plasma treatment, by continuously generating a uniform glow discharge plasma under a pressure close to the atmospheric pressure, when manufacturing an interlayer insulating film and/or a passivation film in the step of manufacturing the element. - 特許庁