バンドギャップ準位の英語

裏面電極直下の高電荷層は低品質なためにバンドギャップ内に多くの不整準位を持っており、多数キャリアの一部はこのような不整準位に蓄えられている。例文帳に追加

Since the high charge layer just below the back electrode has low quality, it has much irregular levels in a band gap, and a part of majority carriers is accumulated in such irregular levels. - 特許庁

電流源１及び２はバンドギャップリファレンス回路４から供給される基準電圧に基づいて基準電流Ｉｒｅｆを低電位側電源ＶＳＳ側に流す。例文帳に追加

The current sources 1 and 2 cause a reference current Iref to flow to a side of a low-potential side power source VSS on the basis of a reference voltage supplied from a band gap reference circuit 4. - 特許庁

半導体の不純物のエネルギー準位を介して電子・正孔対が再結合するときに電磁波を放射する電磁波放射素子であり、半導体に傾斜バンドギャップ領域を設ける。例文帳に追加

The electromagnetic wave radiation element radiates the electromagnetic wave when an electron and hole pairs are recombined through the energy potential of impurities of a semiconductor, which is provided with inclined band gap areas. - 特許庁

この方法によれば、室温においても深いトラップ準位を評価することができ、ワイドバンドギャップを用いた半導体装置の性能向上を目的とした評価に利用することができる。例文帳に追加

According to this method, the level of a deep trap can be evaluated even at room temperature, and this can also be utilized for the evaluation aiming at performance improvement of the semiconductor device, using a wide band gap. - 特許庁

光電変換装置を構成する金属酸化物半導体のバンドギャップ内に不純物準位を形成せず、トラップによる特性劣化やキャリア移動度の低下が無く、導電性の向上を図ること。例文帳に追加

To enhance conductivity by preventing impurity levels from being formed in the band gap of a metal oxide semiconductor which constitutes a photoelectric converter so that characteristic deterioration or carrier mobility reduction does not occur caused by trapping. - 特許庁

バンドギャップ基準電圧回路において、位相補償用のコンデンサの接続数をより少なくする、若しくは、発振を防止するために必要な容量をより小さくする。例文帳に追加

To reduce the number of connection of a capacitor for phase compensation or reduce the capacity required for preventing oscillation in a band gap reference voltage circuit. - 特許庁

（ａ）キノキサリン骨格とオリゴチオフェン骨格とを含み、（ｂ）バンドギャップ（Ｅｇ）が１．８ｅＶ以下であり、（ｃ）最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）準位が−４．８ｅＶ以下であるキノキサリン化合物。例文帳に追加

There is provided a quinoxaline compound satisfying requirements that (a) it contains a quinoxaline skeleton and an oligothiophene skeleton, (b) it has a band gap (Eg) of ≤1.8 eV and (c) the level of highest occupied molecular orbital (HOMO) is ≤-4.8 eV. - 特許庁

バンドギャップの中心からのエネルギー差が０．２ｅＶ未満の領域内に形成されている結晶欠陥を終端処理することにより生じるトラップ準位の結晶欠陥は、リーク電流に対する依存性が弱い。例文帳に追加

The crystal defect of the trap level generated by performing termination processing to the crystal defect formed in the region of <0.2 eV in the energy difference from the center of the band gap is small in dependency with respect to a leak current. - 特許庁