バッファードの英語

ゲート酸化膜５であるSiO_2をバッファードふっ酸(BHF約7%)でエッチングした場合のエッチングレートを、1 nm/sec以上3 nm/sec以下とした。例文帳に追加

An etching grade when etching the SiO_2 of the gate oxide film 5 with a buffered hydrofluoric acid (BHF about 7%) is 1 nm/sec or more and 3 nm/sec or less. - 特許庁

トレンチ４の内壁を希フッ酸又はバッファードフッ酸によって洗浄し、次に純水洗浄、乾燥させる。例文帳に追加

The inner wall of the trench 4 is cleaned by dilute hydrofluoric acid or buffered hydrofluoric acid, and is then washed by pure water and dried. - 特許庁

次いで自然酸化膜２をバッファードフッ酸等を用いたウエット処理により除去し、このとき同時に上記金属酸化物を除去する。例文帳に追加

Then the natural oxide film 2 is removed in a wet process, which uses a buffered hydrofluoric acid, etc., while the metal oxide is removed at the same time. - 特許庁

第２ステップＳ２では、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）で処理して基板表面に形成された自然酸化膜を除去する。例文帳に追加

A second step S2 removes a natural oxide film formed on a substrate surface by being processed by a buffered hydrofluoric acid (BHF). - 特許庁

次にバスケット１１は、フッ化アンモニウム水溶液にフッ酸を加えたエッチング液のＢＨＦ（バッファード・フッ酸）槽２に、比較的短い時間漬浸される。例文帳に追加

Next, the basket 11 is dipped in a BHF (buffered hydrofluoric acid) bath 2 which is an etchant of an ammonium fluoride aqueous solution added with a hydrofluoric acid for a relatively short time. - 特許庁

ＨＣｌ／Ｏ_3水にＤＨＦ（希フッ酸）又はＢＨＦ（バッファードフッ酸）を添加してなる薬液（ＨＣｌ／Ｏ_3／Ｈ_2Ｏ／ＢＨＦ又はＤＨＦ）により半導体基板表面を洗浄する。例文帳に追加

The surface of a semiconductor substrate is cleaned with a chemical liquid (HCl/O3/H2O/BHF or DHF) in which DHF(diluted hydrofluoric acid) or BHF(buffered hydrofluoric acid) is added to HCl/O3 water. - 特許庁

バッファードフッ酸等を用いる等方性ウェットエッチング処理により接続孔１８ｃを絶縁膜１４の下にアンダーカット形状を有するように拡大する。例文帳に追加

The connecting hole 18c is expanded so as to have an undercutting shape under the insulating film 14, by the isotropic wet etching using a buffered hydrofluoric acid. - 特許庁

第１エッチング工程において、バッファード弗酸を主成分として含有する第１エッチング組成物を用いて水晶材料の表面をウエットエッチングし、広い範囲で必要なエッチング量だけエッチング加工する。例文帳に追加

In a first etching process, the surface of a crystal material is wet-etched using a first etching composite containing a buffered hydrofluoric acid as a main component to perform an etching process over a wide area by a required etching quantity. - 特許庁