ハーフ‐メタルの英語

また、素子にハーフメタル強磁性体１１，１２を適用することにより、出力の向上とその印加バイアス依存性の低減を図る。例文帳に追加

Further, half-metal ferromagnetic materials 11 and 12 are applied to the element to improve the output and reduce its applied bias dependency. - 特許庁

固定磁性層２０及びフリー磁性層２６には、強磁性且つハーフメタル的な合金層で形成された磁性層１７、２２が形成されている。例文帳に追加

In the fixed and free magnetic layers 20 and 26, magnetic layers 17 and 22 constituted of ferromagnetic metalloid alloy layers are respectively formed. - 特許庁

固定磁性層２０及びフリー磁性層２６には、強磁性且つハーフメタル的な合金層で形成された磁性層１７、２２が形成されている。例文帳に追加

The fixed magnetic layer 20 and the free magnetic layer 26 form magnetic layers 17 and 22 formed of a ferromagnetic as well as half-metallic alloy layers. - 特許庁

Ｃｏ_２Ｆｅ_ｘＭｎ_１−ｘＳｉホイスラー合金（ｘ＝０．０〜１．０）から成り、層厚が２〜２０ｎｍである第１のハーフメタル強磁性体層１３および第２のハーフメタル強磁性体層１５と、それらの間に挟まれたＡｇから成る非磁性金属体層１４とを有している。例文帳に追加

The magnetoresistance effect element has a first half metal ferromagnetic layer 13 and a second half metal ferromagnetic layer 15 composed of a Co_2Fe_xMn_1-xSi Heusler alloy (x=0.0 to 1.0) and having a thickness of 2-20 nm, and a nonmagnetic metal layer 14 composed of Ag sandwiched therebetween. - 特許庁

強磁性、フェリ磁性または反強磁性磁性の磁性を有し、電子のスピン方向に応じて伝導現象が大幅に異なる特性を有するハーフメタルを主成分とする磁性層を磁気抵抗効果膜に挿入する。例文帳に追加

A magnetic layer having ferromagnetism, ferrimagnetism, or antiferromagnetism and such a characteristic that the conducting phenomenon presented by the layer remakably varies depending upon the spin direction of electrons is inserted into a magnetoresistive effect film. - 特許庁

この際Fe_3Si層の組成制御性の向上および、ハーフメタル構造を有する規則構造相形成のためにSiCからなる半導体基板を使用あるいは表面にSiCを有するシリコン基板上にFe_3Si磁性相を形成する。例文帳に追加

Then, in order to improve composition controllability of an Fe_3Si layer and form an ordered structure layer having a half metal structure, an Fe_3Si magnetic layer is formed on a silicon substrate using a semiconductor substrate formed of SiC or having SiC on a surface. - 特許庁

第１ハーフメタル層（４０）は、第１磁性層（１０）とトンネルバリア層（３０）との間に介在し、トンネルバリア層（３０）と接触し、第１磁性層（１０）と磁気的に結合する。例文帳に追加

The first half metal layer (40) is interposed between the first magnetic layer (10) and the tunnel barrier layer (30), abuts on the tunnel barrier layer (30), and magnetically couples with the first magnetic layer (10). - 特許庁

状態密度は図２に示すような特性となり、横軸の０点（フェルミ面）を見ると、ｍａｊｏｒｉｔｙ−ｓｐｉｎでは金属的、ｍｉｎｏｒｉｔｙ−ｓｐｉｎでは半導体的でありハーフメタルになっている。例文帳に追加

The state density has a characteristic as shown in Fig. 2, and it is seen from the 0-point (Fermi surface) of the horizontal axis that the state density is metallic in majority-spin and semiconductor-like and half-metallic in minority-spin. - 特許庁