シアン化物イオンの英語

浴はシアン化物イオン、アンモニアおよびアンモニウムイオンを含まず、ｐＨ４以下で、アゾールなどの厚さ制御剤を含むこともできる。例文帳に追加

A bath does not contain cyanide ions, ammonia or ammonium ions, but contains a thickness control agent such as azole and has pH of ≤4. - 特許庁

吸光分析用試薬と、この吸光分析用試薬を用いたハロゲン化物イオンの吸光分析方法、アジ化物イオンの吸光分析方法およびチオシアン酸イオンの吸光分析方法例文帳に追加

REAGENT FOR ANALYZING LIGHT ABSORPTION, METHOD FOR ANALYZING LIGHT ABSORPTION IN HALIDE IONS USING THE SAME, METHOD FOR ANALYZING LIGHT ABSORPTION IN AZIDE IONS, AND METHOD FOR ANALYZING LIGHT ABSORPTION IN THIOCYANIC ACID IONS - 特許庁

一般式（Ｉ）または一般式（ＩＩ）で表される化合物もしくはその塩を含む、シアン化物イオンを蛍光により検出するためのキット。例文帳に追加

A kit for detecting a cyanide ion by fluorescent light that contains a compound represented by the general formula (I) or (II) or a salt thereof. - 特許庁

少ない種類の試薬で、少ない工程を経てシアン化物イオンを蛍光により検出することのできるキットを提供する。例文帳に追加

To provide a kit for detecting a cyanide ion by fluorescent light with fewer kinds of reagents and in fewer processes. - 特許庁

シアン化物イオンを含む半導体処理液の安全かつ工業生産性に優れた製造方法、製造装置及び製造システムを実現する。例文帳に追加

To provide a manufacturing method, a manufacturing apparatus, and manufacturing system for a semiconductor processing liquid including a cyanide ion which is safe and has an excellent industrial productivity. - 特許庁

ヘテロ原子置換された五員環ラクトン類をシアン化物イオンと反応させることを特徴とする、プロパンニトリルの製造方法。例文帳に追加

The production method of the propanenitriles comprises causing heteroatom-substituted five-membered lactones to react with a cyanide ion as is represented by chemical reaction formula (A). - 特許庁

本発明は、アルカリ性金シアン化物、有機金属化合物の形態の金属金、湿潤剤、金属イオン封鎖剤および遊離シアン化物を含む浴に浸漬した電極への金合金の電気めっき析出の方法に関する。例文帳に追加

The method is for depositing the gold alloy onto an electrode through electroplating, provided that the electrode is immersed in a bath containing an alkaline gold cyanide, metallic gold in the form of an organometallic compound, a wetting agent, a metal ion sequestering agent and a free cyanide. - 特許庁

半導体を含む基板１２の表面をシアン化物イオンを含む溶液１１に接触させることによって、基板１２の表面に存在する金属とシアン化物イオンとの錯体を形成する工程と、基板１２の表面から溶液１１を除去する工程とを含む。例文帳に追加

The method comprises steps of forming complexes of the metal existing on a surface of the semiconductor substrate 12 and cyanide ions by bringing the surface of the substrate 12 into contact with a solution 11 comprising the cyanide ions, and removing the solution 11 from the surface of the substrate 12. - 特許庁