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サリサイドの英語
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「サリサイド」を含む例文一覧
該当件数 : 149件
サリサイド工程を用いる半導体素子の製造方法例文帳に追加
MANUFACTURING METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE USING SALICIDE PROCESS - 特許庁
サリサイド・プロセス用の化学的プラズマ洗浄例文帳に追加
CHEMICAL PLASMA CLEANING FOR SALICIDE PROCESS - 特許庁
ベース領域5の表面は、サリサイド層14が形成されたサリサイド領域と、フィールド酸化膜4の端部とサリサイド領域の端部との間にサリサイド層が形成されていないサリサイドオフセット領域15とが設けられている。例文帳に追加
A surface of the base region 5 is provided with a salicide region where a salicide layer 14 is formed and a salicide offset region 15 where the salicide layer is not formed between an end of the field oxide film 4 and an end of the salicide region. - 特許庁
その後、サリサイド前駆体と上側層の反応が行われ、上側層に対して自己整合するサリサイドが形成される。例文帳に追加
Then, reaction of the salicide precursor and the upper side layer is performed and a salicide which is self-aligned to the upper side layer is formed. - 特許庁
第1のMOSトランジスタQ1は非サリサイド構造NSとされ、第2のMOSトランジスタQ2はサリサイド構造Sとされている。例文帳に追加
The transistor Q1 is of a nonsalicide structure NS, while the transistor Q2 is of a salicide structure S. - 特許庁
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「サリサイド」を含む例文一覧
該当件数 : 149件
ニッケルサリサイド工程を利用した半導体素子の製造方法例文帳に追加
METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE UTILIZING NICKEL SALICIDE PROCESS - 特許庁
自己整合的ケイ化物(サリサイド)層の形成方法を提供する。例文帳に追加
To provide a method for forming a self-alignment silicide (salicide) layer. - 特許庁
静電気放電保護されたサリサイド素子およびその製造方法例文帳に追加
STATIC ELECTRICITY DISCHARGE PROTECTED SALICIDE ELEMENT AND ITS MANUFACTURING METHOD - 特許庁
サリサイド技術を用いる半導体装置の接合リークを低減する。例文帳に追加
To reduce joint leakage of a semiconductor device using silicide technique. - 特許庁
サリサイド工程及びこれを利用した半導体素子の製造方法例文帳に追加
SALICIDE PROCESS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME - 特許庁
サリサイド膜を含む半導体装置の信頼性を高める。例文帳に追加
To increase the reliability of a semiconductor device including a salicide film. - 特許庁
非サリサイド処理不揮発性メモリセル、非サリサイド処理高電圧トランジスタ、及びサリサイド処理接合低電圧トランジスタを含む電子デバイスの製法および電子デバイス例文帳に追加
ELECTRONIC DEVICE AND MANUFACTURE THEREOF INCLUDING NONVOLATILE MEMORY CELL SUBJECTED TO NON-SALICIDE PROCESSING, HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR SUBJECTED THERETO, AND JUNCTION LOW-VOLTAGE TRANSISTOR SUBJECTED TO SALICIDE PROCESSING - 特許庁
抵抗値が低く且つ安定なシリコンサリサイドを製造する方法、及び該サリサイド形成方法により得られるサリサイドを含む半導体デバイス及び集積回路構造を提供すること。例文帳に追加
To provide a method for manufacturing a silicon-salicide which is of a low-resistivity and stable and a semiconductor device and integrated circuit structure including the salicide attained by the salicide-forming method. - 特許庁
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