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サブミクロン領域の英語

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Weblio専門用語対訳辞書での「サブミクロン領域」の英訳

サブミクロン領域

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「サブミクロン領域」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 10



例文

特にサブミクロン以下の微細な領域の表面温度を予測することが可能な表面温度測定装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for measuring a surface temperature capable of predicting a surface temperature, particularly, in a fine region having particle sizes of submicron or finer. - 特許庁

サブミクロン以下の微細な領域に数十ミクロン以上の波長を持つ赤外光を高い効率で集中でき、サブミクロン以下の微細な領域の近接場を高い効率で取り出せ、かつ、走査像を得ることができる赤外光集光装置を提供する。例文帳に追加

To provide an infrared beam condensing device that can concentrate infrared light having a wavelength of at least scores of microns to a small region of sub microns or less with high efficiency, can take out a near field of the small region of sub microns or less with high efficiency, and can obtain a scan image. - 特許庁

極低速回転から100,000/min以上の高速回転領域において,回転工具の切れ刃稜の振れをサブミクロン精度で測定可能にすることにある.例文帳に追加

To measure runout of cutting edges of rotary tools with accuracy of submicron order in a high-speed rotation range between extremely low-speed rotation and high-speed rotation at 100,000/min or faster. - 特許庁

半導体封止材用充填材として好適なサブミクロン領域を主体とした粒径分布のシャープな微細シリカ粉末を容易に製造すること。例文帳に追加

To easily produce fine silica powder suitable for use as a filler for a semiconductor sealant and having a sharp particle size distribution which is mainly in a submicron range. - 特許庁

このスリットSTを利用することで、スリットSTの幅に応じたサブミクロンオーダのゲート電極250を形成し(図3(c)参照)、その後、ゲート電極250を挟んで対向配置されたソース領域及びドレイン領域を形成する。例文帳に追加

A gate electrode 250 of submicron order depending on the width of the slit ST is formed by utilizing the slit ST (refer to Fig. 3(c)), and then a source region and a drain region are formed oppositely while holding the gate electrode 250 between. - 特許庁

それによって、サブミクロンCMOSトランジスタの形成領域にパンチスルーストッパー領域4を形成するとともに、アナログCMOSトランジスタ、高耐圧MOSトランジスタ、バイポーラトランジスタ、ダイオードまたは拡散抵抗の形成領域にパンチスルーストッパー領域が形成されるのを防ぐ。例文帳に追加

Consequently, a punch through stopper region 4 is formed in a region for forming a submicron CMOS transistor while preventing formation of the punch through stopper region in a region for forming an analog CMOS transistor, a high breakdown strength MOS transistor, a bipolar transistor, a diode or a diffusion resistor. - 特許庁

例文

多探針を用いたAFMナノプローバで、ステージ側のスキャンを行う構造にして、試料と探針の位置関係の補正を迅速に行い、探針同士の衝突を回避して、サブミクロン領域での電気測定を容易にできるようにする。例文帳に追加

To obtain a structure for implementing scanning on the stage side by an AFM nanoprober, using multiple probes which quickly corrects the positional relation between a sample and probes, avoids conflicts among the probes, and facilitate electrical measurements in a submicron region. - 特許庁

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「サブミクロン領域」の部分一致の例文検索結果

該当件数 : 10



例文

サブミクロンオーダー、ミクロンオーダーの領域の平均粒径を有する球状の金属粉末を、金属粉末の目標重量W(金属量)と標準偏差σ_Wの比率:σ_W/Wが、σ_W/W≦1/2の範囲であるような、狭い粒径分布で、再現性よく製造する方法の提供。例文帳に追加

To provide a method for reproducibly producing a spherical metal powder having a mean diameter in a region of a submicron order and a micron order, so as to have such a narrow particle size distribution that σ_W/W which is a ratio of the standard deviation σ_W to the target weight W (metal quantity) of the metal powder is in the range satisfying σ_W/W≤1/2. - 特許庁

ロールの外周面の凹凸パターンを高い精度で樹脂シートに転写でき、特に凹凸パターンのピッチがサブミクロン領域のナノインプリントシートを高い生産性で製造できるナノインプリントシートの製造装置を提供する。例文帳に追加

To provide a device for producing a nanoimprint sheet which can transfer an uneven pattern on the outer peripheral surface of a roll to a resin sheet with high accuracy, and particularly enables the production of a nanoimprint sheet having a pitch of an uneven pattern in submicron regions with high productivity. - 特許庁

例文

絶縁ゲート電界効果トランジスタ(MOSFET)において、ゲート電極となるレジスト下地層の平坦性を確保し、ゲート電極の精度良いパターニングを実現することによりゲート長がサブミクロン領域、或いはサブ0.1μm領域のMOSFETにおいて、トランジスタ特性の向上、ばらつきの低減を図る。例文帳に追加

To enable an insulated gate field effect transistor (MOSFET), whose gate length is of the order of sub-micron or sub-0.1 μm to be enhanced in characteristics and improved in characteristics uniformity by a method, where the planarity of a resist underlying layer serving as a gate electrode is ensured, and a gate electrode is formed accurately by actuate patterning. - 特許庁

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「サブミクロン領域」の英訳に関連した単語・英語表現

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