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コンダクタンス測定の英語
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コンダクタンス測定
「コンダクタンス測定」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
相互コンダクタンスの測定装置及び測定方法例文帳に追加
MEASURING DEVICE OF MUTUAL CONDUCTANCE AND METHOD THEREOF - 特許庁
皮膚コンダクタンス測定装置、成分濃度分析装置、皮膚コンダクタンス測定方法および成分濃度分析方法例文帳に追加
SKIN CONDUCTANCE MEASURING DEVICE, COMPONENT CONCENTRATION ANALYSIS DEVICE, SKIN CONDUCTANCE MEASURING METHOD AND COMPONENT CONCENTRATION ANALYSIS METHOD - 特許庁
走査型電気化学イオンコンダクタンス顕微鏡測定法、走査型電気化学イオンコンダクタンス顕微鏡、その探針および探針の製造方法例文帳に追加
SCANNING-TYPE ELECTROCHEMISTRY ION CONDUCTANCE MICROSCOPE MEASURING METHOD, SCANNING-TYPE ELECTROCHEMISTRY ION CONDUCTANCE MICROSCOPE, PROBE FOR THE SAME, AND PROBE MANUFACTURING METHOD - 特許庁
また、サセプタンス及びコンダクタンスは、二相発振回路などを利用して容易に測定することができる。例文帳に追加
The susceptance and conductance can be measured by utilizing a two phase oscillation circuit. - 特許庁
熱電発電素子の内部コンダクタンスを測定し、動作状態における電力変換回路の入力電流、電圧を測定することにより電力変換回路を介した実効的な負荷の入力コンダクタンスを計測し、その値が素子の内部コンダクタンスに一致するように制御を行う。例文帳に追加
An internal conductance of the thermoelectric power generation element is measured, an effectual input inductance of the load via the power conversion circuit is measured by measuring input current and voltage of the power conversion circuit in an operation state, and control is performed so that its value may match the internal conductance of the element. - 特許庁
消費電力が少ないとともに、短い通電時間で皮膚のコンダクタンスの算出が可能で、かつ、装置構成を簡素化することが可能な皮膚コンダクタンス測定装置を提供する。例文帳に追加
To provide a skin conductance measuring device, calculating conductance of skin in a short current-carrying time with minimized power consumption while simplifying the device structure. - 特許庁
恒温、恒湿条件で代替値の測定を行うことが好ましく、該代替値としては、コンダクタンスを用いることが好ましい。例文帳に追加
The alternative value preferably uses conductance and is measured under a constant temperature and humidity condition. - 特許庁
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「コンダクタンス測定」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
その後、探針２を銀微粒子堆積膜６に接近させ、フィードバックをオフにした後、電源装置８により電圧操作を行ない、電流計１０により電流変化、コンダクタンス変化を測定する。例文帳に追加
Thereafter, the probe 2 is forced to approach the silver fine particle deposition film 6, and feedback is made off, voltage operation is performed by a power supply device 8, and a current change and a conductance change are measured by an ampere meter 10. - 特許庁
製品が形成される半導体ウエハのスクライブ領域にＭＩＳトランジスタを形成し、電圧ストレス又は電流ストレスを付加した後に、トランジスタのＳ因子、闘値電圧又は相互コンダクタンス特性を測定し、その測定結果と所定の管理値を比較・判定することで製造工程の管理を行う。例文帳に追加
After a voltage stress or a current stress is applied to an MIS transistor formed in the scribe region of a semiconductor wafer for forming a product, the S factor, threshold voltage or transconductance characteristics of the transistor is measured, and the results are compared with specified management values, thus managing the fabrication process. - 特許庁
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