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カソ島の英語
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「カソ島」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
したがって、カソード島周辺の活性層（２２，２３）に流れ込む電子を減らすことができる。例文帳に追加
It is therefore possible to reduce electrons flowing into the active layers (22, 23) around the cathode island. - 特許庁
エミッタコーン７の直下とされる島状カソード電極２に所定径状のカソードホール１１を形成することで、エミッタコーン７と島状カソード電極２との間の抵抗値Ｒ１は、抵抗層４の膜厚とカソードホール１１の径状とによって決定されるものとなるため、エミッタコーン７と島状カソード電極２との間の抵抗値Ｒ１を、従来のエミッタ−カソード間の抵抗値に比べて大きくすることができる。例文帳に追加
In this field emission element by forming cathode holes 11 having a prescribed diameter in islands of cathode electrode 2 right under emitter corns 7, the resistance R1 between the emitter corns 7 and the islands of cathode electrode 2 is determined by the film thickness of a resistance layer 4 and the diameter of the cathode holes 11, thereby the resistance R1 can be made larger than the conventional resistance between an emitter and a cathode. - 特許庁
島状の半導体膜を形成し、島状の半導体膜に第１のｎ型不純物領域を形成し、島状の半導体膜を覆ってアノード用開口部とカソード用開口部を有する絶縁膜を形成する。例文帳に追加
An island-shape semiconductor film is formed, a first n-type impurity region is formed on the island-shape semiconductor film, and an insulating film covering the island-shape semiconductor film and provided with an opening for an anode and an opening for a cathode is formed. - 特許庁
このような構造をとるときに、同じ転送部サイリスタに接続された２個の発光部サイリスタのゲート電極を別々にとらなくても、共通のゲートの島の上に２つのカソード島を置いた構造の方が、素子構造が簡単となり、チップを小型に作ることができる。例文帳に追加
In the above structure, even when gate electrodes of two thyristors in the light emitting section which are connected to identical thyristors in the transmission section are not separated, it is possible to simplify the structure of the element and to reduce a chip in size in the structure wherein the two cathode islands are placed on a common island of the gates. - 特許庁
この第１の島領域２８にダイオード素子２１を形成するが、Ｎ＋型のカソード導出領域５４に重畳してＮ＋型ウェル領域３９を形成する。例文帳に追加
A diode element 21 is formed in the first insular region 28 and an N+ type well region 39 is formed to overlap an N+ type cathode lead-out region 54. - 特許庁
ダイオード３のアノード領域と横型ＰＮＰトランジスタ２が形成される第１の島領域８の分離領域７とが電気的に接続され、ダイオード３のカソード領域とパワーＮＰＮトランジスタ４コレクタ領域とが電気的に接続される。例文帳に追加
The anode region of the diode 3 is electrically connected to the separating region 7 of a first island region 8, in which a horizontal pnp transistor 2 is formed and the cathode region of the diode 3 is electrically connected to the collector region of an NPN power transistor 4. - 特許庁
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カソ島
「カソ島」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 8件
そして、ｐ^+不純物領域４はｎ^-半導体層３の一部を取り囲むように形成されており、ロジック回路１０３、ブートストラップダイオード１０２のカソード領域であるｎ^+不純物領域５及びアノード領域であるｐ^+不純物領域６が配置される高電位島領域１０１を形成している。例文帳に追加
The p^+ impurity area 4 is formed so as to surround a part of the n^- semiconductor layer 3, and a high potential island area 101 in which an n^+ impurity area 5 being the cathode area of a logic circuit 103 and a boot strap diode 102 and a p^+ impurity area 6 being an anode area are arranged is formed. - 特許庁
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