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オフ周辺型の英語
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英訳・英語 off‐periphery‐type
「オフ周辺型」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
ローパスフィルタ処理のカットオフ周波数は、典型的には250Hz周辺である。例文帳に追加
The cut-off frequency for the low pass filtering is typically centered around 250 Hz. - 特許庁
半導体装置に形成されている周辺領域Bは、半導体装置のオフ時に空乏層を広げるとともに、その空乏層が周辺領域Bの側面にまで達するのを防止するn^+型のチャネルストッパ領域62を備えている。例文帳に追加
In the peripheral area B formed at a semiconductor device, a depletion layer is expanded when the semiconductor device is off, and an n^+-type channel stopper area 62 is provided for preventing the depletion layer from reaching the side face of the peripheral area B. - 特許庁
主面がオフ角θを有するn^+型SiC基板1上に、n^-型SiC層2、p^+型SiC層3が順次形成され、素子周辺にガードリング6が形成されると共に、p^+型SiC層3上に、複数のオーミック電極4aが設けられている。例文帳に追加
A n^--type SiC layer 2 and a p^+-type SiC layer 3 are formed sequentially on a n^+-type SiC substrate 1 whose main surface has an off angle θ, a guard ring 6 is formed around the device and a plurality of ohmic electrodes 4a are provided on the p^+-type SiC layer 3. - 特許庁
〔1〕三大都市圏では、「オフィス地区」及び「商業地区のうち駅周辺型、市街地型、住宅地背景型」の立地条件において、中小小売店の店舗数が増加している場合には、近隣の飲食店やサービス業の店舗数も増加しているという相関関係が見られる。例文帳に追加
1) In the thee major urban areas, a positive correlation is observed between an increase in the number of small and medium retailers and the number of neighboring eating and drinking places and service providers in the following locations: “office districts” and “aroundstation, city-center, and residential-background type commercial districts.” - 経済産業省
主面がオフ角θを有するn^+−SiC基板1上に、n^-−SiCエピタキシャル成長層2、p^+型層3が順次形成され、素子周辺にガードリング6が形成されると共に、p^+型層3上にはオーミック電極4aが設けられている。例文帳に追加
An n^--SiC epitaxial growth layer 2 and a p^+ type layer 3 are successively formed on an n^+-SiC substrate 1 whose main surface has the off angle θ, a guard ring 6 is formed around an element, and an ohmic electrode 4a is provided on the p^+ type layer 3. - 特許庁
陸上発電に拘泥する事なく、我国周辺を取り巻いて居る海洋に視点を移し、此の、無限の自然エネルギ−を大いに活用する、台船型垂直変位形状ロ−タリ−風力タ−ビンによるオフショア−発電を活用、海水の電気分解による水素抽出を成し、燃料電池利用のクリンエネルギ−源を供給する。例文帳に追加
Hydrogen is extracted by electrolyzing seawater, and a clean energy source using fuel cells is supplied. - 特許庁
予めダイカストマシン周辺の大気圧を測定し、その結果を金型キャビティ内への溶湯注入時の真空度測定装置にフィードバックし、大気圧分をオフセットにして前記相対圧真空計で金型キャビティ内の絶対圧真空度を測定しながら金型キャビティ内を減圧する。例文帳に追加
The atmospheric pressure surrounding a die casting machine is measured beforehand and the feedback of this result is fed back to a vacuum measuring instrument used when the molten metal is poured into the cavity in the die, and while measuring the absolute pressure vacuum in the cavity in the die by the relative pressure vacuum meter by offsetting the atmospheric pressure, the pressure in the inner part of the cavity in the die is reduced. - 特許庁
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「オフ周辺型」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 9件
絶縁ゲート型半導体装置において、オン電圧の低減を可能としつつ、スイッチング時の残留キャリアによる破壊を防止することが可能な素子構造および特にターンオフ時におけるチップ周辺領域での残留キャリアの排出を促し、遮断耐量を高めることのできる素子構造を提供する。例文帳に追加
To provide an element structure of an insulated gate semiconductor device by which the device is prevented from being broken due to remaining carriers when being switched on while making possible the reduction of on-voltage, and also capable of improving a breaking capacity by accelerating the discharge of remaining carriers around a chip area, especially when turned off. - 特許庁
絶縁ゲート型半導体装置において、オン電圧の低減を可能としつつ、スイッチング時の残留キャリアによる破壊を防止することが可能な素子構造および特にターンオフ時におけるチップ周辺領域での残留キャリアの排出を促し、遮断耐量を高めることのできる素子構造を提供する。例文帳に追加
To provide an insulated gate semiconductor apparatus wherein one device structure prevents breakdown due to residual carriers upon switching while capable of lowering the on-voltage, and the other device structure increases breaking capacity, by accelerating the discharge of residual carriers in the vicinity of the chip especially upon turnoff. - 特許庁
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