エピタキシャル超薄膜の英語

エピタキシャル成長したセラミックス膜が形成された金属基板を用いて、セラミックス膜上に酸化物超電導層薄膜をエピタキシャル成長させ、超電導特性を有する酸化物超電導薄膜線材を提供する。例文帳に追加

To provide an oxide superconductive thin film wire rod having superconductive characteristics by epitaxially growing an oxide superconductive layer thin film on a ceramic film using a metal substrate on which the ceramic film epitaxially grown is formed. - 特許庁

少なくともホタル石型結晶上に単純ペロブスカイト型結晶の薄膜が（０１１）配向にエピタキシャル成長している結晶構造を有し、高性能で信頼性が高く、その上高集積化が可能な素子を作製するための結晶材料として有用なエピタキシャル複合構造体並びにこのものを利用した強誘電体素子及び超伝導体素子を提供すること例文帳に追加

To obtain an epitaxial composite structure at least having a crystal structure in which the thin film of a simple perovskite type crystal is epitaxially grown on a fluorite-type crystal so as to form (011) orientation, and useful as a crystalline material for forming an element having a high performance and reliability, and capable of being highly integrated, and further to provide a ferroelectric element and a superconductor element by utilizing the structure. - 特許庁

この後、前記突起物（13）を含む基板表面に、半導体超薄膜層（14）をエピタキシャル成長すると、前記突起物(13)の直上に微細な窪み（15）が形成される。例文帳に追加

After this, when a semiconductor ultrathin film layer 14 is grown epitaxially on the surface of the substrate including the projected materials 13, fine recesses 15 are formed directly over the projected materials 13. - 特許庁

配向金属基板表面の酸化層を確実に除去し、配向金属基板の２軸配向性を維持して、中間層および超電導層などの酸化物薄膜をエピタキシャルに形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for epitaxially forming a thin oxide film, such as an intermediate layer or a superconductive layer, by removing the oxidized layer from the surface of an oriented metallic substrate without fail and keeping the biaxial orientability of the oriented metallic substrate. - 特許庁

配向金属基板表面の酸化層を確実に除去し、配向金属基板の２軸配向性を維持して、中間層および超電導層などの酸化物薄膜をエピタキシャルに形成する方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method in which an oxidized layer of the oriented metal substrate surface is surely removed, and an oxide thin film of the interlayer and a superconductive layer or the like are epitaxially formed by maintaining biaxial orientation of the oriented metal substrate. - 特許庁

（１００）配向の銅酸化物超伝導体薄膜は、（１００）配向ＬａＳｒＡｌＯ_4 単結晶基板３と、単結晶基板３上にエピタキシャル成長した（１００）配向Ｌａ_2-x Ｓｒ_x ＣｕＯ_4 超伝導薄膜４とからなり、表面は平坦である。例文帳に追加

The (100)-oriented copper oxide superconductor thin film comprises a (100)-oriented LaSrAlO_4 monocrystalline substrate 3 and a (100)-oriented La_2-xSr_xCuO_4 superconducting thin film 4 epitaxially grown on the monocrystalline substrate 3, and has a flat surface. - 特許庁

a軸配向したBi系酸化物超電導薄膜の作製方法は、Bi系酸化物超電導薄膜の(100) 面と格子定数の整合性の良い（110）面のLaSrAlO_4単結晶基板又は（110）面のLaSrGaO_4単結晶基板を用いてエピタキシャル成長することにある。例文帳に追加

The method of manufacturing the a-axis oriented Bi-based oxide superconductor thin film involves an epitaxial growth process using an LaSrAlO_4 single crystal substrate of a (110) plane or an LaSrGaO_4 single crystal substrate of a (110) plane, for which the lattice constant matches well with the (100) plane of the Bi-based oxide superconductor film. - 特許庁