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エピタキシャル絶縁体の英語
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英訳・英語 epitaxial insulator
「エピタキシャル絶縁体」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 92件
半導体基板(1)上に形成したエピタキシャル層(2)の表面に絶縁膜(3)を形成する。例文帳に追加
The insulating film (3) is formed on the surface of an epitaxial layer (2) formed on a semiconductor substrate (1). - 特許庁
積層体34は、半絶縁性III族窒化物エピタキシャル層35、36を含む。例文帳に追加
The laminate 34 includes semiinsulating group III nitride epitaxial layers 35 and 36. - 特許庁
これにより、抵抗素子3とエピタキシャル層5との間に、第1絶縁体13を介在させる。例文帳に追加
Consequently, the first insulator 13 is interposed between the resistance element 3 and epitaxial layer 5. - 特許庁
半導体基板10と、この半導体基板10上に形成されたエピタキシャル層20とを有する化合物半導体エピタキシャルウェハにおいて、上記半導体基板10と上記エピタキシャル層20との間に、単層もしくは多層からなる絶縁層15を設ける。例文帳に追加
The compound semiconductor epitaxial wafer comprises a semiconductor substrate 10, and an epitaxial layer 20 formed on the semiconductor substrate 10 wherein a single layer or multilayer insulation layer 15 is provided between the semiconductor substrate 10 and the epitaxial layer 20. - 特許庁
その半導体装置は、半導体基板(1)と、エピタキシャル層(2)と、その上部に、開口部(10)を有する絶縁層(3)とが堆積され、開口部(10)底面におけるエピタキシャル層(2)をショットキー金属層(9)が被覆し、環状半導体領域(4)がエピタキシャル層(2)内部に存在して、構成されている。例文帳に追加
A doping region (6) exists inside the epitaxial layer (2) and along the external periphery of the semiconductor device. - 特許庁
エピタキシャル基板は、基板1と、基板1上にエピタキシャル成長された第一の窒化物半導体からなる下地層2と、下地層2上にエピタキシャル成長された第二の窒化物半導体からなる半絶縁層3とを備えている。例文帳に追加
The epitaxial substrate includes a substrate 1, a base layer 2 comprising a first nitride semiconductor epitaxially grown on the substrate 1, and a semi-insulating layer 3 comprising a second nitride semiconductor epitaxially grown on the base layer 2. - 特許庁
エピタキシャル基板は、基板1と、基板1上にエピタキシャル成長された第一の窒化物半導体からなる下地層2と、下地層2上にエピタキシャル成長された第二の窒化物半導体からなる半絶縁層3とを備えている。例文帳に追加
The epitaxial layer is provided with a substrate 1, a base layer 2 that is epitaxially grown on the substrate 1 and is made of a first nitride semiconductor, and a semi-insulation layer 3 that is epitaxially grown on the base layer 2 and is made of a second nitride semiconductor. - 特許庁
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「エピタキシャル絶縁体」の部分一致の例文検索結果
該当件数 : 92件
本発明の半導体装置は、炭化珪素を含む第1エピタキシャル成長層20と、第1エピタキシャル成長層20の表層部に設けられた終端構造30と、終端構造30の上に設けられ、炭化珪素を含む第2エピタキシャル成長層40と、第2エピタキシャル成長層40の上に設けられた絶縁層50とを備える。例文帳に追加
The semiconductor device includes: a first epitaxially-grown layer 20 with a silicon carbide; the termination structure 30, which is provided on a surface part of the first epitaxially-grown layer 20; a second epitaxially-grown layer 40, which is provided on the termination structure 30 and has the silicon carbide; and an insulating layer 50, which is provided on the second epitaxially-grown layer 40. - 特許庁
開口5の側壁に絶縁体からなるサイドウォール6を形成し、その後、選択エピタキシャル成長法を用いて開口5内にエピタキシャル成長膜である単結晶シリコン膜8を形成する。例文帳に追加
A sidewall 6 constituted of an insulator is formed on the sidewall of the opening 5, and then a single crystal silicon film 8 which is an epitaxial growth film is formed in the opening 5 by using a selective epitaxial growing method. - 特許庁
積層体34は、半絶縁性III族窒化物エピタキシャル層35、36と基板32との間に設けられた窒化ガリウム系半導体層37を含む。例文帳に追加
The laminate 34 includes a gallium nitride-based semiconductor layer 37 provided between the semiinsulating group III nitride epitaxial layers 35 and 36, and the substrate 32. - 特許庁
半絶縁性窒化物半導体基板とその製造方法並びに窒化物半導体エピタキシャル基板及び電界効果トランジスタ例文帳に追加
SEMI-INSULATING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE AND FIELD-EFFECT TRANSISTOR - 特許庁
半導体装置1は、n型エピタキシャル層8と、エピタキシャル層8の表層部に形成されたp型ボディ領域12と、ボディ領域12の表層部に形成されたn型ソース領域15と、エピタキシャル層8上に形成されたゲート絶縁膜19と、ゲート絶縁膜19上に形成されたゲート電極20とを含む。例文帳に追加
A semiconductor device 1 comprises: an n-type epitaxial layer 8, p-type body regions 12 formed in a surface portion of the epitaxial layer 8; n-type source regions 15 formed in surface portions of the body regions 12; a gate insulating film 19 formed on the epitaxial layer 8; and gate electrodes 20 formed on the gate insulating film 19. - 特許庁
半導体素子1は、n型エピタキシャル層8と、n型エピタキシャル層8の表層部に形成されたボディ領域12と、ボディ領域12の表層部に形成されたn型ソース領域16と、n型エピタキシャル層8上に形成されたゲート絶縁膜19と、ゲート絶縁膜19上に形成されたゲート電極20およびゲート保護ダイオード30とを含む。例文帳に追加
A semiconductor device 1 includes: an n-type epitaxial layer 8; body regions 12 formed in a surface portion of the n-type epitaxial layer 8; n-type source regions 16 formed in a surface portion of the body regions 12; a gate insulating film 19 formed on the n-type epitaxial layer 8; and gate electrodes 20 and a gate protection diode 30 formed on the gate insulating film 19. - 特許庁
CMOS集積回路の製造に用いるゲルマニウム・エピタキシャル膜を絶縁体上で成長させる方法例文帳に追加
METHOD OF GROWING GERMANIUM EPITAXIAL FILM ON INSULATOR FOR USE IN FABRICATION OF CMOS INTEGRATED CIRCUIT - 特許庁
半導体エピタキシャル結晶ウエハを破壊することなく、基板とバッファ層との界面の絶縁性を評価する方法の提供。例文帳に追加
To provide a method for evaluating insulation in an interface between a substrate and a buffer layer without destroying a semiconductor epitaxial crystal wafer. - 特許庁
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epitaxial insulator
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