アンペア導体の英語

半導体装置１０では、数アンペア程度の大電流のスイッチングを行う第１の半導体素子１２Ａが、角部に配置されている。例文帳に追加

In a semiconductor device 10, a first semiconductor device 12A performing a switching of high current of several amperes or so is arranged at a corner. - 特許庁

それらの間の1ボルトの電位差が1アンペアの電流を生み出す際の導体における二点間での抵抗と同等の電気抵抗の単位例文帳に追加

a unit of electrical resistance equal to the resistance between two points on a conductor when a potential difference of one volt between them produces a current of one ampere発音を聞く  - 日本語WordNet

2ポイントの間で消散するパワーが1ワットであるときに1アンペアの電流を運ぶ導体の2ポイントの間の電位差と等しい可能性の単位例文帳に追加

a unit of potential equal to the potential difference between two points on a conductor carrying a current of 1 ampere when the power dissipated between the two points is 1 watt発音を聞く  - 日本語WordNet

（四）　ビームエネルギーが六五キロ電子ボルト以上、かつ、ビーム電流が四五ミリアンペア以上のものであって、加熱された半導体材料の基板に酸素を注入することができるもの例文帳に追加

4. Ion implanters with beam energies of 65 kiloelectron volts or more and beam currents of 45 milliamperes or more, that are capable of implanting oxygen on a heated superconductor material substrate発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

３　主材料にＩＩＩ—Ｖ族化合物半導体（砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを除く。）を用いたもの（最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワット以下のものを除く。）例文帳に追加

iii. Photocathodes which use a III-V compound semiconductor (excluding gallium arsenide or indium gallium arsenide) as the main material (excluding those with a maximum radiation sensitivity of 10 milliamperes per watt or less.)発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム

３　主材料にＩＩＩ—ＩＶ族化合物半導体（砒化ガリウム又は砒化インジウムガリウムを除く。）を用いた光電陰極（最大放射感度が一〇ミリアンペア毎ワット以下のものを除く。）例文帳に追加

iii. Photocathodes using a III-IV compound semiconductor (excluding gallium arsenide or indium gallium arsenide) as the main material (excluding those with a maximum radiation sensitivity of 10 milliamperes per watt or less)発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム