どうりゅうていの英語

Ａ−Ｂ間の直流抵抗と、Ａ−Ｃ間の直流抵抗が直流抵抗検出回路１４で検出され、検出された直流抵抗に基づいて可動接点ａの切換状態を示すアンサーバック信号ＡＢが生成される。例文帳に追加

A DC resistance detecting circuit 14 detects A-B DC resistance and A-C DC resistance to generate an answer-back signal AB showing the changing-over condition of the movable contact a in accordance with each detected DC resistance. - 特許庁

待機電流低減回路及びこれを有する半導体メモリ装置例文帳に追加

STANDBY CURRENT REDUCTION CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE COMPRISING THE SAME - 特許庁

容器内でのインクの移動時のインクの流抵抗を低減させる。例文帳に追加

To reduce the ink flow resistance at the time of moving an ink in a container. - 特許庁

インバータの漏洩電流低減方法及び負荷駆動装置例文帳に追加

LEAKAGE CURRENT REDUCING METHOD AND LOAD DRIVING APPARATUS OF INVERTER - 特許庁

半導体装置、半導体装置の製造方法および半導体装置のリーク電流低減方法例文帳に追加

SEMICONDUCTOR DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND LEAKAGE-CURRENT REDUCTION METHOD THEREFOR - 特許庁

第２の内部導体１３が有する第２の直流抵抗成分と第１の内部導体１１が有する第１の直流抵抗成分との合成直流抵抗成分が０Ωより大きく７．５Ω以下である。例文帳に追加

The resultant DC resistance component of a second DC resistance component the second internal conductor 13 has and a first DC resistance component the first internal conductor 11 has is bigger than 0 Ω and not larger than 7.5 Ω. - 特許庁

第１の内部導体１１の直流抵抗成分と第２の内部導体１３の直流抵抗成分との合成直流抵抗成分は、０Ωより大きく７．５Ω以下に設定されている。例文帳に追加

A composite DC resistance component of a DC resistance component of the first internal conductor 11 and a DC resistance component of the second internal conductor 13 is set to 0 to 7.5 Ω. - 特許庁

プロセススピードが高くなった場合には、画像形成時の前回転動作時に印加する交流定電圧値を選択されている交流定電圧値もしくはそれよりも高い交流定電圧値とする。例文帳に追加

If the processing speed has become high, the value of the AC constant voltage applied during the pre-rotating operation in image formation is switched to the value of the AC constant voltage that has been selected or to the value of the AC constant voltage higher than that. - 特許庁