しょうこうせんたー２ちょうめの英語

単結晶の絶縁性基板１上に、Ｓｉ濃度が４×１０^１９ｃｍ^−３以上である高濃度ＳｉドープＧａＮバッファ層２をエピタキシャル成長し、このＳｉドープＧａＮバッファ層２上に、エピタキシャル成長法により単結晶の結晶構造を有する窒化物半導体層３を形成する。例文帳に追加

A high density Si-doped GaN buffer layer 2 having an Si concentration of 4×10^19cm^-3 or higher is epitaxially grown on a single crystal insulating substrate 1, and the nitride semiconductor layer 3, having a crystal structure of a single crystal is formed by an epitaxially growing method. - 特許庁

エネルギーの印加によって結晶構造が可逆的に遷移する結晶層１と結晶層１とは異なる組成を有する結晶層２とが積層された超格子積層体１０と、超格子積層体１０の下地であり、結晶層１の積層面を（１１１）配向させる配向層３とを備える。例文帳に追加

This superlattice device includes: a superlattice laminated 10 formed by laminating a crystal layer 1 of which the crystalline structure is reversibly replaced by application of energy, and a crystal layer 2 having a composition different from that of the crystal layer 1; and an orientation layer 3 being a base of the superlattice laminated 10 for subjecting the lamination surface of the crystal layer 1 to (111) orientation. - 特許庁

主に鉄とナトリウムとを含有する複合酸化物であって、六方晶の結晶構造を有し、かつ該複合酸化物のＸ線回折分析において、２．２０Åのピークの強度を面間隔５．３６Åのピークの強度で除した値が２以下である複合酸化物からなることを特徴とする非水電解質二次電池用正極活物質。例文帳に追加

The anode active material consists of composite oxide containing mainly iron and sodium, and has hexagonal crystal structure, wherein value made by dividing strength of a peak in a surface length of 2.20 Å by strength of a peak in a surface length of 5.36 Å which are measured in X-ray diffraction analysis of the composite oxide is 2 or less. - 特許庁

本発明に係る排ガスの処理方法は、フッ素含有化合物を含む排ガスを、前記排ガス中の固形物を分離した後に触媒を用いて処理する方法であって、前記触媒として、Ｘ線回折装置で測定した回折角２θのうち、３３゜±１゜、３７゜±１゜、４０゜±１゜、４６゜±１゜、６７゜±１゜の５つの角度で強度１００以上の回折線が出現する結晶構造を有するγ−アルミナを用いることを特徴とする。例文帳に追加

As the catalyst, a γ-alumina having a crystal structure such that diffraction beams having an intensity of 100 or more at five diffraction angles 2 θ measured by an X-ray diffraction instrument, that is, at 33°±1°, 37°±1°, 40°±1°, 46°±1°, 67°±1° are generated is used. - 特許庁

第十条　意匠登録出願人は、自己の意匠登録出願に係る意匠又は自己の登録意匠のうちから選択した一の意匠（以下「本意匠」という。）に類似する意匠（以下「関連意匠」という。）については、当該関連意匠の意匠登録出願の日（第十五条において準用する特許法（昭和三十四年法律第百二十一号）第四十三条第一項又は第四十三条の二第一項若しくは第二項の規定による優先権の主張を伴う意匠登録出願にあつては、最初の出願若しくは千九百年十二月十四日にブラッセルで、千九百十一年六月二日にワシントンで、千九百二十五年十一月六日にヘーグで、千九百三十四年六月二日にロンドンで、千九百五十八年十月三十一日にリスボンで及び千九百六十七年七月十四日にストックホルムで改正された工業所有権の保護に関する千八百八十三年三月二十日のパリ条約第四条Ｃ（４）の規定により最初の出願とみなされた出願又は同条Ａ（２）の規定により最初の出願と認められた出願の日。以下この項において同じ。）がその本意匠の意匠登録出願の日以後であつて、第二十条第三項の規定によりその本意匠の意匠登録出願が掲載された意匠公報（同条第四項の規定により同条第三項第四号に掲げる事項が掲載されたものを除く。）の発行の日前である場合に限り、第九条第一項又は第二項の規定にかかわらず、意匠登録を受けることができる。例文帳に追加

Article 10 (1) Notwithstanding Article 9(1) or (2), an applicant for design registration may obtain design registration of a design that is similar to another design selected from the applicant's own designs either for which an application for design registration has been filed or for which design registration has been granted (hereinafter the selected design is referred to as the "Principal Design" and a design similar to it is referred to as a "Related Design"), if the filing date of the application for design registration of the Related Design (or when the application for design registration of the Related Design contains a priority claim under Article 43(1), 43-2(1) or 43-2(2) of the Patent Act (Act No. 121 of 1959) as applied mutatis mutandis under Article 15 of this Act, the filing date of the earliest application, the filing date of an application that is deemed to be the earliest application under Article 4.C(4) of the Paris Convention for the Protection of Industrial Property of March 20, 1883, as revised at Brussels on December 14, 1900, at Washington on June 2, 1911, at Hague on November 6, 1925, at London on June 2, 1934, at Lisbon on October 31, 1958, and at Stockholm on July 14, 1967, or the filing date of an application that is recognized as the earliest application under Article 4.(A)2 of the Paris Convention, hereinafter the same shall apply in this paragraph) is on or after the filing date of the application for design registration of the Principal Design and before the date when the design bulletin in which the application for design registration of the Principal Design is published under Article 20(3) (except for a design bulletin in which the matters listed in Article 20(3)(iv) were published under Article 20(4)) is issued.発音を聞く  - 日本法令外国語訳データベースシステム