かいせいちょう１ちょうめの英語

ガラス板１上の所定領域に形成された成長起点３のみから薄膜が成長を開始するように成分を調整した原料ガスを用いた化学蒸着（ＣＶＤ）法により、薄膜（例えば酸化錫膜等の透明導電膜）を上記所定領域に選択的に成長させる。例文帳に追加

By a chemical vapor deposition (CVD) process using a gaseous starting material in which components are regulated in such a manner that thin films start to grow only from growth starting points 3 formed at prescribed regions on a glass plate 1, thin films (e.g., transparent electrically conductive films such as tin oxide films) are selectively grown on the above prescribed regions. - 特許庁

同年8月29日、国民政府主席の蒋介石は陳儀を台湾省行政長官に任命、9月1日には重慶市にて台湾行政長官公署及び台湾警備総部が設置され、陳儀は台湾警備司令を兼任することとなった。例文帳に追加

On August 29 of the same year, Kai Shek CHIANG, the head of the nationalist government, appointed Yi CHEN as governor of Taiwan province, and with the establishment of Taiwan Security Bureau on September 1, Chen served concurrently as Commander of Taiwan Security.発音を聞く  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

半導体基板１上に半導体層２を介して、磁性混晶半導体３をエピタキシャル成長させ、前記エピタキシャル成長中または成長後に熱処理することにより、半導体中に強磁性微粒子が埋め込まれた磁性体微粒子／半導体複合材料４を形成する。例文帳に追加

On a semiconductor substrate 1, a magnetic mixed crystal semiconductor 3 is formed through epitaxial growth across a semiconductor layer 2, and a heat treatment is carried out in or after the epitaxial growth to form a magnetic body particulate/semiconductor compound material 4, having ferromagnetic particulates embedded in the semiconductor. - 特許庁

成長用基板の第一主表面上に化合物半導体層５０をエピタキシャル成長した後、化合物半導体層５０の第一主表面に仮支持基板１１０を、仮支持結合層１１１を介して貼り合わせ、さらに、成長用基板を化学エッチング等により除去する。例文帳に追加

After the compound semiconductor layer 50 is epitaxially formed on the first principal surface of the substrate 1 for growth, a temporary supporting substrate 110 is stuck to the first principal surface of the compound semiconductor layer 50 through a temporary supporting binding layer 111; and in addition, the substrate for growth is removed by chemical etching or the like. - 特許庁

世界経済危機の影響を受けて減速した中国経済は、2009年第1四半期を谷として回復傾向を強め、2010年の実質 GDP 成長率は、前年比10.3％と、2007年以来、3年ぶりとなる2桁成長を達成した。例文帳に追加

From the end of 2008 through early 2009, China’s economy that slowed under the influence of the world economic crisis, strengthened the recovery tendency after the bottom in the first-quarter in 2009, and, as for the real growth rate in 2010, it was 10.3% increase over the previous year. It achieved a double digit growth after 3 years since 2007. - 経済産業省

メタルハライドランプ特有の要求を満たすため、トランス４ｃの一次側に放電成長用コンデンサ２ａを直流電源１と並列に配置し、絶縁破壊後の放電成長を確保する。例文帳に追加

To meat a demand peculiar to the metal halide lamp, a capacitor 2a for discharge growth is disposed in parallel with a DC power source 1 on the primary side of a transformer 4c to secure discharge growth after dielectric breakdown. - 特許庁

ポリイミド樹脂膜３をマスクとして、ストライプ状の開口部４から露出したＧａＡｓ基板１の表面に、有機金属気相成長法もしくは分子線成長法によって、基板と同一材料のリッジ部となる半導体層であるＧａＡｓ層５を成長させる。例文帳に追加

Then, a GaAs layer 5 being a semiconductor layer as the ridge constituted of the same materials as those of the substrate is grown by a metal organic vapor phase growing method or a molecular beam growing method on the surface of the GaAs substrate 1 exposed from the stripe-shaped opening 4 by using the polyimide resin film 3 as a mask. - 特許庁

第1 章、第2 章でみてきたとおり、世界経済が構造的に変化する中で、世界経済成長の中心がアジアはじめ新興国に移行しつつある。例文帳に追加

As seen in Chapter1 and 2, the centre of the world economic growth is shifting to Asia and emerging countries through changes in world economic structure. - 経済産業省