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いぬごえじの英語
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上記化合物半導体の例としては、ＺｎＧａＮ、ＺｎＩｎＮ、ＺｎＩｎＧａＮ、ＺｎＡｌＮ、ＺｎＡｌＧａＮ、ＺｎＡｌＩｎＮ、および、ＺｎＡｌＧａＩｎＮを挙げることができる。例文帳に追加
The compound semiconductor includes ZnGaN, ZnInN, ZnInGaN, ZnAlN, ZnAlGaN, ZnAlInN, and ZnAlGaInN. - 特許庁
当該窒化物半導体ナノ粒子は、新規の組成を有する新規のＩＩ−ＩＩＩ−Ｎ化合物半導体（例えば、ＺｎＧａＮ、ＺｎＩｎＮ、ＺｎＩｎＧａＮ、ＺｎＡｌＮ、ＺｎＡｌＧａＮ、ＺｎＡｌＩｎＮ、または、ＺｎＡｌＧａＩｎＮ）によって形成されている。例文帳に追加
The nitride semiconductor nanoparticle is formed of a new II-III-N compound semiconductor having a new composition (for example, ZnGaN, ZnInN, ZnInGaN, ZnAlN, ZnAlGaN, ZnAlInN or ZnAlGaInN). - 特許庁
ｎ−ＧａＩｎＮ第２クラッド層５は、非単結晶状態のｎ−ＧａＩｎＮからなる。例文帳に追加
The n-GaInN second clad layer 5 comprises n-GaInN in non-single crystal state. - 特許庁
この城は長い籠城には堪えぬ例文帳に追加
The castle can not stand a long siege.発音を聞く - 斎藤和英大辞典
Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ１２のドレインは、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ１１、ＮＭＴ１２、ＮＭＴ２１、ＮＭＴ２２、ＮＭＴ３１、ＮＭＴ３２、ＮＭＴ４１、ＮＭＴ４２、ＮＭＴ５１、及びＮＭＴ５２のゲートに接続される。例文帳に追加
A drain of the Nch MOS transistor NMT 12 is connected to gates of the NMT 11 of Nch MOS TRANSISTOR of the NMT12, NMT21, NMT22, NMT31, NMT32, NMT41, NMT42, NMT51, and NMT52. - 特許庁
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「いぬごえじ」の部分一致の例文検索結果
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ｎ×ａ＋（ｎ−１）×０．５＜Ａ＜ｎ×ａ＋（ｎ−１）×５（ｍｍ） 但し、ｎは２以上の正数例文帳に追加
この粒子に対する低融点コーティング系にはＩｎ、Ｓｎ、およびＩｎ−Ｓｎ、Ｓｎ−Ｐｂ、Ｂｉ−Ｓｎ−Ｉｎ、ＩｎＡｇなどの合金が含まれる。例文帳に追加
A low-melting-point coating system for the particles contains In, Sn and In-Sn, Sn-Pb, Bi-Sn-In or InAg alloy. - 特許庁
Ｃｕ−Ｚｎ−Ｓｎ系合金板及びＣｕ−Ｚｎ−Ｓｎ系合金Ｓｎめっき条例文帳に追加
Cu-Zn-Sn ALLOY PLATE AND TIN-PLATED Cu-Zn-Sn ALLOY STRIP - 特許庁
カスコード型カレントミラー回路５０には、Ｎｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ１１、ＮＭＴ１２、ＮＭＴ２１、ＮＭＴ２２、ＮＭＴ３１、ＮＭＴ３２、ＮＭＴ４１、ＮＭＴ４２、ＮＭＴ５１、及びＮＭＴ５２が設けられる。例文帳に追加
A cascoded current-mirror circuit 50 includes Nch MOS transistors NMT11, NMT12, NMT21, NMT22, NMT31, NMT32, NMT41, NMT42, NMT51, and NMT52. - 特許庁
３０ｎｍ＜ＵＬ＜２５０ｎｍ ８ｎｍ≦ＰＬ≦ ２５ｎｍ １０ｎｍ≦ＴＬ≦２００ｎｍ ３０ｎｍ≦ＲＬ≦２００ｎｍ （ロ）記録層がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅを主構成元素とする。例文帳に追加
(b) The recording layer has main constituent elements of Ag, In, Sb and Te. - 特許庁
ＧａＮ結晶は、下地体５と、ＧａＮ結晶５３０，５５０とを備える。例文帳に追加
The GaN crystal has a ground body 5 and GaN crystals 530,550. - 特許庁
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