工作原理
方式一
脚上的电压值减去 SEG 脚上的电压值决定，当这个电压差大于 LCD 的饱和电压就能打开像素点，小于 LCD 阈值电压就能关闭像素点，LCD 型 MCU 已经由内建的 LCD 驱动电路自动产生 LCD 驱动信号，因此只要 I/O 口能仿真输出该驱动信号，就能完成 LCD 的驱动。 由于LCD工作的最佳帖频率通常在25Hz~250Hz，一般设置刷新频率在 60Hz左右即可
现在考虑如何模拟出 COM 的波形
1/2 Bias 下 COM0~COM3 的 LCD 驱动波形如下：
高阻即可使其输出 VDD/2 电位，配置 IO为推挽输出即可输出高低电平。
即可得到 COM0~COM3 的波形。具体来说就是第一次 Time Base 中断时设置 COM0 输出VDD，其它 COM 输出 VDD/2；第二次 Time Base 中断时设置 COM0 输出 VSS，COM1~COM3输出 VDD/2，第三次 Time Base 中断时设置 COM1 输出 VDD，其它 COM 输出 VDD/2；第四次 Time Base 中断时设置 COM1 输出 VSS，其它 COM 输出 VDD/2；……；第八次中断时设置 COM3 输出 VSS，其它 COM 输出 VDD/2。
因为点亮 LCD 像素点需要 COM 与 SEG 有大于饱和电压的电压差，也就是 COM 与 SEG 有+VDD 或者-VDD 的电压差，所以要点亮某个像素点，只要将对应的 SEG 输出与 COM 相反的电压即可。比如，当 COM0=VDD，只要 SEG=VSS 就可点亮对应像素点，当 COM0=VSS，只要 SEG=VDD 就可点亮对应像素点。考虑到 LCD 像素点点亮时先加+VDD 再加-VDD 可延长 LCD 的使用寿命，因此这里同一像素点也采用两次点亮的方式。
方式二
由上面所述我们知道，只要 COM、SEG 的电压差为+VDD 或者-VDD 就可以点亮对应的 LCD笔段即像素点，因此，我们也可以不用模拟 COM 的 Timing 即可完成 LCD 的正常驱动。具体实现步骤如下：
• 第一次中断时设置 COM0 输出 High，其它 COM 输出 VDD/2，再根据要显示的数据设置各个 SEG 的输出
• 第二次中断时设置 COM1 输出 High，其它 COM 输出 VDD/2，再根据要显示的数据设置各个 SEG 的输出
• 第三次中断时设置 COM2 输出 High，其它 COM 输出 VDD/2，再根据要显示的数据设置各个 SEG 的输出
• 第四次中断时设置 COM3 输出 High，其它 COM 输出 VDD/2，再次根据要显示的数据设置各个 SEG 的输出
• 第五次中断时设置 COM0 输出 Low，其它 COM 输出 VDD/2，再根据要显示的数据设置各个 SEG 的输出
• 第六次中断、第七次中断、第八次中断参考上面的方法依次设置 COM1、COM2、COM3输出 Low 并设置要显示的数据
• 循环进行以上的 8 次循环设置即可完成 LCD 的驱动 这种方式下 COM0~COM3 的 Timing 如下：
资源上来说，第二种方式比第一种方式会占用更少的 ROM 空间。
应用电路
可以根据实际使用情况取舍 COM 和增减 SEG，比如 LCD 可以是 1/2 Duty，那么只需要保留两个 COM 即可，SEG 同样可以参照范例程序扩展。
根据上述说明，分 8 次依次设置 COM0~COM3 的输出，SEG 是输出 VDD 还是输出 VSS 需要根据要显示的数字判断，使用第一种驱动方式时 I/O 详细电位设置请参考下表：
这里也可以采用扫描的方式
结论
本范例驱动 4×8 LCD 显示正常，用户只需要稍加改造即可套用到所选用的 1/2 Bias 规格的LCD 上。
我使用的是第一种扫描方式，大致流程图如下，其中有些地方对的不怎么齐
void LCD_Control(void)
{
static unsigned char state = 0;
if(!Back_Light_Is_Open) // 背光检测
{
P1CFG1 = _b01101010; // 配置COM1,COM2,COM3为高阻
P3CFG0 = _b01010110; // 配置COM4为高阻
return;
}
LCD_BACK_LIGHT_CONTROL(); // 背光控制
Refresh_Wrod(); // 刷新字幕
Refresh_Light_Flash(); // 刷新灯光动画
Refresh_Fan_Flash(); // 刷新风扇动画
Refresh_UV_Lamp_Flash();// 刷新消毒动画
Refresh_Down_Flash(); // 刷新下降动画
Refresh_Up_Flash(); // 刷新上升动画
switch(state)
{ // 01强推，10高阻
case 0: // 扫描 COM1
{
COM_L(1);
P1CFG1 = _b01100110; // 配置COM1为强推，COM2,COM3为高阻
P3CFG0 = _b01010110; // 配置COM4为高阻
COM1_SEG_SET();
state = 1;
}break;
case 1: // 扫描 COM1
{
COM_H(1);
COM1_SEG_SET_NOT();
state = 2;
}break;
case 2: // 扫描 COM2
{
COM_L(2);
P1CFG1 = _b01101001; // 配置COM2为强推，COM1,COM3为高阻
COM2_SEG_SET();
state = 3;
}break;
case 3: // 扫描 COM2
{
COM_H(2);
COM2_SEG_SET_NOT();
state = 4;
}break;
case 4: // 扫描 COM3
{
COM_L(3);
P1CFG1 = _b01011010; // 配置COM3为强推，COM1,COM2为高阻
COM3_SEG_SET();
state = 5;
}break;
case 5: // 扫描 COM3
{
COM_H(3);
COM3_SEG_SET_NOT();
state = 6;
}break;
case 6: // 扫描 COM4
{
COM_L(4);
P1CFG1 = _b01101010; // 配置COM1,COM2,COM3为高阻
P3CFG0 = _b01010101; // 配置COM4为强推
COM4_SEG_SET();
state = 7;
}break;
case 7: // 扫描 COM4
{
COM_H(4);
COM4_SEG_SET_NOT();
state = 0;
}break;
default:
{
state = 0;
}break;
}
}
代码中 COM4_SEG_SET_NOT(); 是 COM4_SEG_SET(); IO对应段取反所得 COM_L(4); 拉低 COM4口 其他类似 |
这里说明一点，我是先将 IO口电平输出再配置功能的，因为在实际操作过程中会发现从高阻态转换至强推模式时会有 零点几微秒的脉冲干扰，具体宽度根据单片机速度来决定。
大概是因为单片机在从强推模式转换至高阻态时 IO配置虽被改变，但输出寄存器中的数据还会继续保持，所以才会有脉冲干扰的吧，先将 IO口输出电平改变再将 IO口状态从高阻切换至强推时就不会有脉冲干扰了
这是先配置 IO输出状态再修改输出电平的，后来想了下，寄存器中应该是保存了最后一次 IO输出的电平，所以从高阻态切换至强推后直接将输出相应的电平，等到再次配置 IO口输出的电平时这是才会改变，所以才会在开始的时候有一个低脉冲
