(1)修改BWSCON，mini2440 BANK0接NOR Flash，BANK4接DM9000，BANK6接RAM，对于mini2440，只要修改B4_BWSCON即可：
#define B3_BWSCON (DW16 + WAIT + UBLB)
//#define B4_BWSCON (DW16)
#define B4_BWSCON (DW16 + WAIT + UBLB)
#define B5_BWSCON (DW16)
……
#define B4_Tacs 0x0 /* 0clk */
#define B4_Tcos 0x3 /* 4clk */
#define B4_Tacc 0x7 /* 14clk */
#define B4_Tcoh 0x1 /* 1clk */
#define B4_Tah 0x3 /* 4clk */
#define B4_Tacp 0x6 /* 6clk */
#define B4_PMC 0x0 /* normal */
#define B5_Tacs 0x0 /* 0clk */
(2)然后修改 REFRESH 的刷新周期：
#define B7_SCAN 0x1 /* 9bit */
/* REFRESH parameter */
#define REFEN 0x1 /* Refresh enable */
#define TREFMD 0x0 /* CBR(CAS before RAS)/Auto refresh */
#define Trc 0x3 /* 7clk */
#define Tchr 0x2 /* 3clk */
//#define REFCNT 1113 /* period=15.6us, HCLK=60Mhz, (2048+1-15.6*60) */
# if defined(CONFIG_S3C2440)
#define Trp 0x2 /* 4clk */
#define REFCNT 1012
#else
#define Trp 0x0 /* 2clk */
#define REFCNT 0x4f4 /* period=7.8125us, HCLK=100Mhz, (2048+1-7.8125*100) */
#endif
_TEXT_BASE:
.word TEXT_BASE
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我的疑问是：
1，从MINI2440的电路图中可以看到，BANK0接NOR Flash，BANK4接DM9000，BANK6接RAM，但在修改lowlevel_init.s时为什么只修改了BANK4，和DM9000相关的部分呢？
另外对于BANK4中这些参数的设定又是以什么为依据呢，为什么是这些值呢？比方说
#define B4_Tacc 0x7 /* 14clk */，为什么要把访问周期设置
为14个时钟周期呢，我看了DM9000的规格书，似乎并没有谈到Tacc，Tcos，等这些参数啊，也没看到详细的时序图中有这些参数啊？只是在S3C2440的规格书第5部分关于
BANKCONn的描述中有这些参数的描述，但取什么值由哪份资料的哪部分描述来决定呢？
2，同样的修改 REFRESH 的刷新周期中，这里的参数设定是以什么为依据的？
看了很多资料都讲这里要修改，但还是没弄明白为什么要这样改？郁闷中。。
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今天白天时为了搞明白第2个问题中REFRESH是如何设置的，我又把S3C2440和HY57V561620的规格书相关部分看了一遍。发现了
# if defined(CONFIG_S3C2440)
#define Trp 0x2 /* 4clk */
#define REFCNT 1012
#else
这段设置中Trp的设置缘由。
S3C2440中REFRESH寄存器的描述部分有对Trp的说明如下：
Trp SDRAM
RAS pre-charge Time 00=2 clocks 01=3 clocks 10=4 clocks 11=Not
HY57V561620中恰好提到了这个
RAS/ precharge time Min 20 ns
这样子的话，看起来应该这样设置Trp的值：
1，因为在START.S中已经把mini2440的系统频率设定为405M，所以一个机器周期就是1/405M=2.4ns
2，SDRAM HY57V561620的规格书又告诉了这个RAS/ precharge time最小值为20ns
3，由1，2推出Trp=20/2.4=8 clocks（没有这个设置项！！）
搞了半天还是没看出这里设置为
#define Trp 0x2 /* 4clk */
的原因，难道我看错了，他是把频率设置为200M的？
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9/13今天又有了点新发现，原来上次忽略了一个问题，SDRAM使用的是HCLK，并不是FCLK。
因为在START.S中已经把mini2440的系统频率设定为405M，并且设置了FCLK:HCLK:PCLK=1:4:8，所以这里的时间是以HCLK的单位度量的。
HCLK一个时钟周期是1/100M=10ns，SDRAM HY57V561620的规格书又告诉了RAS/ precharge time最小值为20ns，所以这里取4个时钟就可以理解了，它只需比最小值大就可以了。
