1.precharge：
由于SDRAM的寻址具体独占性，所以在进行完读写操作后，如果要对同一L-Bank的另一行进行寻址，就要将原来有效（工作）的行关闭，重新发送行/列地址。L-Bank关闭现有工作行，准备打开新行的操作就是预充电（Precharge）。预充电可以通过命令控制，也可以通过辅助设定让芯片在每次读写操作之后自动进行预充电。实际上，预充电是一种对工作行中所有存储体进行数据重写，并对行地址进行复位，之所以称为DRAM，就是因为它要不断进行刷新（Refresh）才能保留住数据，因此它是DRAM最重要的操作。
2.refresh：
刷新操作与预充电中重写的操作一样。但为什么有预充电操作还要进行刷新呢？因为预充电是对一个或所有L-Bank中的工作行操作，并且是不定期的，而刷新则是有固定的周期，依次对所有行进行操作，以保留那些久久没经历重写的存储体中的数据。但与所有L-Bank预充电不同的是，这里的行是指所有L-Bank中地址相同的行，而预充电中各L-Bank中的工作行地址并不是一定是相同的。
需要注意的是，在刷新操作之前需要将所有bank全部关闭，也就是在刷新之前需要发一个precharge同时将A10拉高，此时的precharge操作是进行将所有bank关闭的操作；tRFC表示执行刷新操作需要的时间；
需要保证至少9个tREFI时间窗口内至少进行两次刷新操作，这个窗口是滚动的，这样操作的目的在于避免别的命令和刷新操作发生冲突；在后续的时间内，如果有空余时间的话，可以进行多次刷新；
前面集中区域进行了大量的刷新，在后续可以相对稀疏的进行刷新操作，此外需要注意两个刷新间隔之内（tREFI）操作之间最多只能进行16次操作；
3. self refresh
（1）DDR中的一种低功耗模式，它和正常刷新操作之间的区别仅仅是在CKE上，也就是当命令是刷新操作同时CKE为低的时候表示的是self refresh操作，此时颗粒内部的DLL会被关闭，外部输入的时钟也不再需要了，此时外部管脚上仅仅CKE（为低）和RESET（为高）是有用的；（2）自刷新模式下一方面可以保证数据不丢失，另一方面自身功耗也会降低；（3）进入自刷新模式之前也是同样需要将所有bank都关闭才能进入自刷新模式；
需要注意进入自刷新模式的时候ODT一定要被关闭，也就是为低；发起自刷新操作之后需要等待tCKSRE时间之后就可以把时钟关闭；在退出自刷新模式的时候也是需要提前tCKSRX时间将时钟拉起来，在Tc1时刻的时候进行SRX操作退出自刷新模式；在发出退出刷新操作之后经过tXS时间后就可以发起和DLL无关的操作，比如寄存器的配置，而经过txsDLL时间后才可以发起和DLL相关的命令，比如读、写、active等操作
4.row active：
在实际工作中，Bank地址与相应的行地址是同时发出的，此时这个命令称之为“行激活”（Row Active）。在此之后，将发送列地址寻址命令与具体的操作命令（是读还是写），这两个命令也是同时发出的，所以一般都会以“读/写命令”来表示列寻址。根据相关的标准，从行有效到读/写命令发出之间的间隔被定义为tRCD，即RAS to CAS Delay（RAS至CAS延迟，RAS就是行地址选通脉冲，CAS就是列地址选通脉冲），我们可以理解为行选通周期。tRCD是DDR的一个重要时序参数，广义的tRCD以时钟周期（tCK，Clock Time）数为单位，比如tRCD=3，就代表延迟周期为两个时钟周期，具体到确切的时间，则要根据时钟频率而定，DDR3-800，tRCD=3，代表30ns的延迟。
关于active的一些时序理解
（1）tRRD：不同bank之间active操作之间的最少时间；
（2）tFAW：针对5个bank进行active的最少时间
（3）tRAS：针对一个bank进行active之后又进行precharge的最少时间；
（4）tRC：针对同一个bank进行两个active操作的时间间隔，需要注意的是tRC也可以表示针对同一个bank先进行active在进行refresh的时间差；
（5）tRP：针对bank进行precharge需要的时间
5. powder down：
使memory进入低功耗模式，和self refresh区别在于powder down存在时间限制，最长9*tREFI时间电荷不丢；在powder down模式下CKE为低，RESET为高，时钟是不能停止的；退出powder 模式有两种情况，一种是dll使能的情况，此时可以快速的退出powder down；另一种是dll关闭的情况，此时需要将dll使能后才可以退出，退出时间相对来说长一些。
分为两种powder down，一种是active powder down（bank打开的时候powder down），另一种是precharge powder down（bank关闭的时候powder down）
（1）T1时刻 nop操作且CKE拉低，进入power-down模式，实际上还需要再次经过tCPDED时间后在发出一个nop操作以后才算真正进入power-down模式；
（2）进入power-down模式后需要经过最少时间tPD才可以退出power-down模式；
（3）进入powder-down模式后需要经过tXP时间后才可以发送一个有效的命令；
（4）Ta1时刻退出power-down模式，CKE拉高时间至少为tCKE时间（CKE脉冲为高的时间）；
T0时刻发起写操作，Tb1时刻进入power-down模式，中间需要有最少时间差tWRAPDEN
快速模式下DLL是打开的，退出power-down模式仅仅需要tXP时间就可以退出。
而慢速模式下DLL是关闭的，在等待tXP时间后，在Tc0时间后可以发起一个对寄存器MRS配置的操作使得DLL打开，等到Td0时刻才可以正常发起有效命令。
协议推荐在进入power-down之间和退出power-down之后都发起一次refresh操作，T1时刻会发起一次刷新操作；
T1时刻发起active操作，至少经过tACTPDEN时间后才可以将CKE拉低进入power-down模式，同时进入power-down模式至少需要等tPD时间后才可以退出该模式；
6.读操作的一些时序参数：
读操作有两种，一种是正操操作的读，另一种是带auto-precharge的读操作（对这个颗粒进行操作后会自动对这一行进行precharge操作）
A0-A9+A11表示列地址，A10表示是否进行auto-precharge
（1）nRCD：针对这个bank进行active操作后需要隔多少个周期后才能对这个bank进行读操作；
（2）CL（CAS read latency）:从读操作发起开始需要多少个周期后才能出现数据（在上面的例子中由于AL为0，因此实际等待的周期就是CL，也就是RL就等于CL，实际上读操作后需要延迟RL个周期才会得到读数据）
（3）AL（累计的额外延迟）： 这个参数后面详细解释
（4）RL：总的latency，AL+CL；
当AL为CL-1的时候，也就是AL为7，此时正常情况下针对bank0进行active后需要等八个周期才能进行发起读操作，但是如果AL为7此时可以在active操作后的下一个周期就执行active操作，虽然是在active的下一个周期执行读操作，但是实际任然等RL周期后才能得到读数据。
当AL为CL-1的时候，也就是AL为7，此时正常情况下针对bank0进行active后需要等八个周期才能进行发起读操作，但是如果AL为7此时可以在active操作后的下一个周期就执行active操作，虽然是在active的下一个周期执行读操作，但是实际任然等RL周期后才能得到读数据。
这种操作只是让读命令提前发出而已，但是实际起作用的时间是和之前操作相同的。
AL为的0的情况下原本在t8时刻的时候已经满足了nRRD为4的条件，也就是t8时刻实际上是可以进行active操作的，但是由于此时第一个active操作的nRCD时间已经到了，可以进行读操作，因此第三个active操作置后了，这会导致读出来的数据有气泡，效率降低，如果在t8时刻不仅读操作而是进行第三次active操作，理论上也是可行的，但是这种操作会增加读数据的latency，效率也会降低。
通过设置AL的方式使得读数据没有气泡增加了效率，也就是active操作后，就可以发送read操作，而实际起作用任然是t8时刻起作用。
read操作之后需要至少隔tRTP才能将这个bank关闭（这里的read操作是针对bank a row a），此时既可以关闭bank a也可以把所有的bank都关闭，precharge操作之后需要等待tRP时间后才可以对这个相同bank的不同row进行操作；
有两种模式可以选择，第一种是BL4，第二种是BL8；
tCCD表示两个read操作之间至少需要多少个周期，这里是四个周期
对于BC4 to BC4来说，用的时间是和BC8 to BC8的时间相同的，并且虽然在两个数据之间DQS属于高阻态，但是其效率并没有提升
(1)从读到写的延迟为：RL+tCCD+2clk cycle+WL(write latency);
(2)数据总线上从读数据到写数据至少需要两个clk cycle，这两个周期是用来进行读写转换的
(1)从读到写的延迟为：RL+tCCD/2+2clk cycle+WL(write latency);
(2)OTF模式（既可以4个数据也可以8个数据）相较于前面的read（BL8）to write（BL8）少了两个周期的气泡，效率有所提升；
7. 写操作
类似于读操作，不同的地方是写操作除了DQ以外还会多一个DM信号，用于数据掩盖；同样存在auto precharge操作的写；
对于写操作的时候，active操作的时候地址线上驱动的是行地址，而对于写操作的时候地址线上驱动的是列地址，bank地址一直是公用的；时钟和数据是有一个90°的相位关系以使得颗粒能够正确的采样到数据
两个写操作之间至少需要隔tCCD个时间周期
写操作的数据和时钟是成90°相位关系的，并且写操作在T7时刻才会真正的执行结束，写操作结束后需要经过tWTR时间后才可以进行读操作；注意这里的操作一定是对不同bank，如果是对相同bank的不同行进行线写后读，那么一定在写完之后需要进行precharge操作，在这里只有两种情况，一种是写和读操作都是针对相同的bank相同行，另一种是写和读操作都是针对不同bank的内容进行操作的；
写操作之后需要经过tWR（write recover）时间才能进行下一个操作，实际上这个参数的意义在于写操作的时候实际上T7时刻并没有真正将数据写到颗粒内部，需要在经过一段时间才能真正将数据写入颗粒，经过tWR时间后才可以进行precharge操作；
OTF模式下由于既可以4笔数据也可以8笔数据，因此，因此数据虽然在T7时刻就已经写好了但是任然要等到T9时刻，这是为了考虑OTF模式下也可能是8笔数据；在到T9时刻之后再经历一个tWR之后可以进行precharge操作；
类似于前面的操作，由于OTF模式任然需要多等两个周期；
和上一个OTF模式下消耗的周期是相同的，但是传输的效率有所提升；
读写转换之间需要隔tWTR个时间才可以进行，也就是写操作之后在T13时间的时候才可以进行读；这两个操作要么不同bank要么相同bank相同行
8.Power-up Initialization
（1）Ta时间之前表示的是上电过程，也就是电压稳定的过程
（2）Ta~Tb时间表示复位时间，颗粒复位所需的时间
（3）CKE拉低到时钟复位拉高之间的时间，需要间隔10ns，也就是CKE需要稳定10ns只会，reset才能被拉高
（4）差分时钟在复位信号拉高之后就可以进行操作，但是需要至少tCKSRK的稳定时间，在CKE信号拉高的情况下差分信号正式开始工作，RESET拉高到CKE拉高这个过程至少需要经过500us的时间延迟（这个500us的时间往往包含tCKSRK时间）
（5）tXPR时间表示的是CKE信号拉高到第一个有效的命令（或者非空的命令）之间所需要的时间
（6）MRS表示的是寄存器模式设置的操作
（7）tZQinit至少需要512clk cyc
（8）DLL功能使能和复位
9.Reset Initialization
复位初始化可以从任何状态进行该操作，该操作不会复位颗粒中的内容，只会复位寄存器。
