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IPB60R099CP参数描述:

型号:IPB60R099CP

持续漏极电流:31A

脉冲漏极电流:93A

雪崩电流,重复:11A

栅极-源极电压:±20V

功率耗散:255W

操作和储存温度:-55 to 150℃

连续二极管正向电流:18A

二极管脉冲电流:93A

漏源击穿电压:600V

栅极阈值电压:3V

零栅极电压漏极电流:5µA

栅极-源极泄漏电流:100 nA

漏极源导通状态电阻:0.09Ω

栅极电阻:1.3Ω

输入电容:2800 pF

输出电容:130 pF

开通延迟时间:10 ns

关断延迟时间:60 ns

二极管正向电压:0.9V

反向恢复时间:450 ns

 

ASEMI代理Infineon英飞凌IPB60R099CP原厂MOS管_延迟时间

IPB60R099CP特征:

TO263中的最佳Rds

超低栅极电荷

极限dv/dt额定值

高峰值电流能力

符合JEDEC标准的目标应用

无铅电镀;符合RoHS要求

ASEMI代理Infineon英飞凌IPB60R099CP原厂MOS管_延迟时间_02