编辑-Z

IPB64N25S3-20参数描述：

型号：IPB64N25S3-20

持续漏极电流：64A

脉冲漏极电流：256A

雪崩电流，单脉冲：27A

栅极-源极电压：±20V

功率耗散：300W

操作和储存温度：-55 to +175℃

漏源击穿电压：250V

栅极阈值电压：3V

零栅极电压漏极电流：0.1µA

栅极-源极泄漏电流：1nA

漏极源导通状态电阻：17.5mΩ

输入电容：5240 pF

输出电容：2900 pF

开通延迟时间：18ns

关断延迟时间：45ns

二极管连续正向电流：64A

二极管脉冲电流：256A

二极管正向电压：1V

反向恢复时间：174ns

 

ASEMI代理Infineon英飞凌IPB64N25S3-20原厂MOS管_工作温度

IPB64N25S3-20特征：

N通道-增强模式

AEC合格

最高260°C峰值回流

175°C工作温度

绿色产品（符合RoHS标准）

100%雪崩测试

ASEMI代理Infineon英飞凌IPB64N25S3-20原厂MOS管_延迟时间_02