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艾赛斯IGBT管IXYB82N120C3H1参数：
型号：IXYB82N120C3H1
漏极-源极电压（VCES）：1200V
连续漏电流（IC）：82A
功耗（PC）：1040W
工作结温度（TJ）：-55 to +150℃
零栅极电压漏极电流（ICES）：50uA
输入电容（CISS）：4060pF
二极管正向电压（VSD）：2.7V
反向恢复时间（trr）：420ns
IXYB82N120C3H1封装尺寸：
封装：TO-264
总长度：47.98mm
本体长度：26.59mm
引脚长度：21.39mm
宽度：20.29mm
高度：5.31mm
脚间距：5.45mm
IXYB82N120C3H1特征：
针对低开关损耗进行了优化
方形RBSOA
反并联超快二极管
Vce的正热系数（sat）
雪崩额定值
高电流处理能力
国际标准包装
IXYB82N120C3H1应用：
高频功率逆变器
不间断电源
电机驱动器
表面粗糙度
PFC电路
电池充电器
焊接机
灯镇流器
